金屬有機物化學氣相澱積

金屬有機物化學氣相澱積

MOCVD是Metal-Organic Chemical Vapor Deposition的縮寫，意為金屬有機物化學氣相澱積，是1968年由美國洛克威爾公司提出的一種製備化合物半導體單品薄膜的新技術。

該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機等多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，主要用於GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極體晶片的製造，是LED等行業最有發展與套用前途的專用設備之一。