| 中文名稱 | 載流子濃度 |
| 英文名稱 | carrier concentration |
| 定 義 | 單位體積的載流子數目。在室溫無補償存在的條件下等於電離雜質的濃度。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
| 中文名稱 | 載流子濃度 |
| 英文名稱 | carrier concentration |
| 定 義 | 單位體積的載流子數目。在室溫無補償存在的條件下等於電離雜質的濃度。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
釋詞:電流載體,稱載流子。在物理學中,載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴引)被視為...
本徵載流子濃度(Intrinsic carrier concentration)為本徵半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度,常用值為300K時的濃度值。本徵載流子濃度與溫度有關,同樣材質的半導體...
中文名稱 載流子濃度 英文名稱 carrier concentration 定義 單位體積的載流子數目。在室溫無補償存在的條件下等於電離雜質的濃度。 套用學科 材料科學技術(一級學科)...
矽中載流子遷移率隨摻雜濃度的變化曲線 不同,一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下,低摻雜矽材料中,電子的遷移率為1350cm2V-1s-1,而空穴的遷移率僅為480cm2...
半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中,載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體中,存在兩種載流子,電子以及電子流失導致共價鍵上留...
本徵載流子,就是本徵半導體中的載流子(電子和空穴),即不是由摻雜所產生出來的載流子。...
少數載流子即非平衡載流子,對於p型半導體來說便是其中的電子,對於n型半導體來說便是其中的空穴。...
非平衡載流子是指處於非平衡狀態的半導體,其載流子濃度也不再是n0和p0(此處0是下標),可以比他們多出一部分。比平衡狀態多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。...
中文名稱 淨載流子濃度 英文名稱 net carrier concentration 定義 全部由導電雜質提供的多數載流子濃度。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),...
半導體中載流子的擴散係數D就是表征載流子在濃度梯度驅動下、從高濃度處往低濃度處運動快慢的一個物理量,等於單位濃度梯度作用下的粒子流密度。...
《砷化鎵中載流子濃度等離子共振 測量方法(GB/T 8757-2006)》是對GB/T 8757—1988《砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法》的修訂。《砷化鎵中載流子濃度等離子共振 ...
對n型半導體,其中非平衡少數載流子——空穴的壽命τ,也就是空穴的平均生存時間,1/τ就是單位時間內空穴的複合幾率,Δp/τ稱為非平衡空穴的複合率 (即n型半導體...
(因為在該溫度下,pn結即不再存在);該溫度的高低與半導體的摻雜濃度有關,摻雜濃度越高,因為多數載流子濃度越大,則本徵激發起重要作用的溫度——半導體器件的最高...
大注入效應,就是注入到半導體中的非平衡少數載流子濃度接近或者超過原來的平衡多數載流子濃度(～摻雜濃度)時的一種情況。這是相對於小注入而言的,所謂小注入就是注入...
簡併半導體(degenerate semiconductor)是雜質半導體的一種,它具有較高的摻雜濃度,因而它表現得更接近金屬。對一般的摻雜情況(雜質濃度小於10的18次方 )常溫下,通常的...
半導體中有兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時,價電子受共價鍵的束縛,晶體中不存在自由運動的電子,半導體是不能導電的。但是,當...
多子,即多數載流子,是半導體物理的概念。半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子占大多數,導電中起到主要作用,則稱它為多子。多子濃度...
光致導電性是指固體受光輻射時電導率發生改變的現象。在半導體中十分明顯。由於電導率正比於載流子濃度和遷移率,當入射光的光子能量大於一定閥值時(此值取決於材料...
在熱平衡情況下,由於摻雜濃度不均勻、或者注入的非平衡載流子濃度不均勻,即會在半導體內部的局部區域產生出多餘的電荷——空間電荷,並出現相應的電場——內建電場;...
但是,和金屬中高度簡併的電子相比,半導體中載流子的無規熱運動速度低很多,同時由於載流子濃度低,對相同的電流密度,漂移速度則高很多。因此,在較高的電流密度下,...
等離激元是指在具有一定載流子濃度的固體系統中(如金屬、具有一定載流子濃度的半導體等),由於載流子之間的庫侖相互作用,使得空間中一處載流子濃度的漲落,必將引起其他...
霍爾效應測試儀,是用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此是理解和研究半導體...
光吸收使半導體形成非平衡載流子,而載流子濃度的增大必須使樣品電導率增大,這種由光照引起半導體電導率增加的現象稱為光電導效應。本徵吸收引起電導稱為本徵光電導。...
濃度將超過平衡電子濃度,有np>nopo=ni2;相反,當加上反向電壓時,空間電荷區中的電場增強,驅趕載流子的作用更大,則這時在空間電荷區中的電子濃度將低於平衡電子濃度...
HMS系列霍爾效應測量系統,用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試儀...
準費米能級這個概念是為了方便討論非平衡載流子的統計分布以及載流子濃度的能級而引入的。...