貧鈾禁止是指全部或部分用貧鈾製成的禁止體。金屬鈾吸收γ輻射能力強、熱傳導性能好、熔點高、強度大、易於加工，因此很適於作強γ輻射發射體的運輸容器（如乏燃料元件運輸容器），其重量和體積都比鉛和鐵制的小，可以節省運輸和處理費用。但貧鈾比較貴，應根據加工、運輸、處理等費用綜合考慮後決定是否值得採用。
基本介紹
- 中文名：貧鈾禁止
- 外文名：depleted uranium shield
禁止,禁止法,貧鈾禁止,
貧鈾禁止是指全部或部分用貧鈾製成的禁止體。
禁止
一種利用物質材料或裝置使某一特定空間的本底輻射減弱或消除，或者使本底輻射對測量結果的影響 減弱或消除的方法。
在輻射測量中，禁止可分為物質禁止和活禁止(ac-tive shield)。
物質禁止是利用吸收截面大、放射性含量低的材料來包圍某一特定空間，使本底輻射的全部或大部分不能進入該空間。
所謂活禁止是相對物質禁止而言的，它是採用適當的探測器和電子系統來減少本底輻射的影響。如反符合禁止，一般是利用兩個或兩個以上的探測器和反符合選擇器來減少或消除本底輻射的影響；又如用組合探測器（如採用疊層閃爍體）和波形選擇器來減少和消除本底。
禁止法
一種用來減小或消除核輻射和電磁脈衝輻射的方法。
對電磁脈衝輻射的禁止，是將系統或子系統加上一個無縫隙的金屬外罩。選擇電磁性能合適的材料，做成具有一定厚度和合理的幾何形狀的外罩。根據電磁脈衝頻率的不同，外罩可把磁場或電場衰減到規定的數值；或者是把交叉場的轉移阻抗（導納）衰減到規定的數值。
對核輻射的禁止比較複雜。帶電粒子輻射的貫穿能力差，容易禁止。不帶電荷的輻射的貫穿能力強，如，中子和γ射線，對其禁止比較困難。單獨禁止一種輻射，可適當選擇高密度（防γ射線）的物質或慢化吸收截面大的材料（防中子），做成適當厚度的禁止層，其幾何形狀要求能擋住輻射即可。保護層內的電子系統，可不受或少受核輻射損傷。在γ射線和中子都有的混合輻射場中，禁止更難，禁止層要用防γ射線和防中子的兩種材料的混合夾層。禁止14MeV中子，採用先慢化後吸收的方法比較有效。
至於靜電禁止，是專指防一種帶電粒子的禁止。把禁止殼層做成與粒子電荷同極性的一個帶電殼層，即建立一個位壘使帶電粒子輻射不易穿過。這種方法用得較少。
禁止法加固，對整個電子系統、設備或儀器都適用；對易損的子系統或零部件也適用。
貧鈾禁止
金屬鈾的密度高達18.7-19.08t/m3，原子序數Z=92、吸收γ輻射能力強、熱傳導性能好、熔點高、強度大、易於加工，因此很適於作強γ輻射發射體的運輸容器（如乏燃料元件運輸容器），其重量和體積都比鉛和鐵制的小，可以節省運輸和處理費用。但貧鈾比較貴，應根據加工、運輸、處理等費用綜合考慮後決定是否值得採用。
貧鈾雖帶有輕微的放射性，但對使用沒有多大影響。在機械加工時應特別小心，它會自燃，若鈾粉末進入人體內，會因毒性和內照射危害人體。另外，鈾在空氣中會氧化腐蝕，應採用加包殼或添加少量合金元素的辦法加以保護。鈾中加2%鉬製成合金，可改善抗腐蝕性和機械性能，而密度降低不大。
