基本介紹
- 中文名：記憶體刷洗
- 外文名：Memory scrubbing
- 又叫：記憶體擦洗
- 領域：計算機
簡介,概述,變種,參見,
簡介
由於現代計算機記憶體晶片的高度集成，單個記憶體單元的結構已足夠小到易於受到宇宙射線和/或阿爾法粒子的影響。由這些現象引發的錯誤被稱為軟性錯誤，這對基於DRAM或SRAM的記憶體來說可能是個問題。在任何單個記憶體比特發生軟錯誤的機率非常小。但是，配以現代計算機的龐大記憶體空間，加之長時間持續運行的如伺服器，在已安裝記憶體中發生軟錯誤的機率可能比較顯著。
糾錯記憶體中的信息被冗餘存儲，以便能校正每個記憶體字（word）的單比特錯誤。也因如此，ECC記憶體可以支持對記憶體的刷洗。換句話說，如果記憶體控制器系統性掃描記憶體，則可以檢測到單比特錯誤，並可以使用ECC校驗和來確定出錯的比特並將校正的數據寫回記憶體。
概述
在同一個字（word）未發生多比特錯誤前周期性檢查每個記憶體位置很重要，這是因為截至2008年，ECC記憶體模組還不能校正出現多比特的錯誤。
為了不干擾來自CPU的常規記憶體請求以及防止電腦性能下降，刷洗通常僅在空閒時進行。由於刷洗是由正常的讀取和寫入操作組成，它可能增加記憶體相較非刷洗操作時的功耗。因此，刷洗應該周期性但不是持續性進行。許多伺服器可以在BIOS設定程式中配置刷洗周期。
普通的記憶體讀取是由CPU或DMA設備發出和檢查ECC錯誤，但由於數據局部性原因，它們可能被限制在小範圍的地址空間內，並且保持位置、很長時間不被觸碰。這些位置因而可能容易受到多個軟錯誤的影響，而刷洗可確保在指定時間內檢查整個記憶體。
在某些系統上，不止主記憶體（基於DRAM的記憶體）支持刷洗，有些CPU高速快取（基於SRAM）也可以。在大多數系統上，兩者都可以獨立配置刷洗速率。因為快取比主記憶體小得多，所以快取的擦洗不需要頻繁進行。
記憶體刷洗提高了可靠性，因此它可被歸類為可靠性、可用性和可維護性（RAS）特性。
變種
它通常有兩種變體，被稱為巡邏刷洗（patrol scrubbing）與按需刷洗（demand scrubbing）。雖然它們本質上都執行記憶體刷洗及相關的錯誤糾正（如果可行），兩者的主要區別是如何啟動和執行。巡邏刷洗會在系統空閒時自動運行，而按需刷洗是在數據被主存儲器實際請求時執行錯誤糾正。
