記憶單元

記憶單元

記憶單元是構成存儲器的基本成分,它可由各種材料製作,但只有滿足下列要求的媒體才有可能被選作記憶單元的材料。

基本介紹

  • 中文名:記憶單元
  • 外文名:memory unit
  • 定義:構成存儲器的基本成分
  • 屬於:存儲器
  • 組成:內部存儲和時序訪問控制
  • 學科:計算機原理
概述,分類,

概述

記憶單元是構成存儲器的基本成分,它可由各種材料製作,但只有滿足下列要求的媒體才有可能被選作記憶單元的材料,其基本要求是:
有兩種穩定狀態;
在外部信號作用之下,兩種穩定狀態可以進行無限次的相互轉換;
在外部信號作用之下,可以讀出(檢測)兩種穩定狀態;
兩種穩定狀態可以長期可靠地存儲。
在自然界中能夠作為存儲媒體的材料是很多的,但符合上述基本要求的卻極少。目前半導體材料和磁性材料在存儲器中得到了廣泛的套用。

分類

鎖存器(Latch)和觸發器(Flip—flop)是一種存儲時序狀態的常用邏輯記憶單元。記憶單元由內部存儲和時序訪問控制兩部分組成。CMOS電路中的記憶功能通常由電容記憶保持,或者加上能量正反饋記憶保持來實現更可靠的記憶。
1.分類之一
記憶單元按時鐘的電平敏感和邊沿敏感分為鎖存器和觸發器兩種,暫存器則可以是分別由這兩種元件組成的兩種陣列,下面分別介紹。
(1)鎖存器(Latch)——受電平敏感的記憶單元稱之為鎖存器。例如TTL器件7475,靠輸入時鐘的高電平或低電平實現選通。
(2)觸發器(Flip—flop)——受邊沿敏感的記憶單元稱之為觸發器。例如,TTL器件7474,靠輸入時鐘的上升或下降邊沿實現觸發。
在許多資料中,將內部存儲值由輸入數據透明地傳輸並設定稱之為鎖存器。觸發器,尤其是主從鎖存器,是指其輸入值的讀取和輸出值的改變是兩個不透明的獨立事件。這種輸入輸出之問的不透明,也導致了時鐘觸發邊沿作用的凸現。注意鎖存器、觸發器定義的不同反映了觀察視角的不同,但它們之間還是有聯繫的。現在改回比較流行的上述定義。
(3)暫存器(Register)——一般指多個觸發器組成的陣列,用來存儲多位數據;也可能採用的是鎖存器陣列,例如數據匯流排。注意,個別場合也指單個的觸發器或鎖存器。
2.分類之二
記憶單元還可以按輸入端的類型來分類。
(1)SR型——置位復位型可以細分為SR和SR兩種。以圖1為準。
圖1圖1
這時,以輸出Q端的狀態為準,記憶單元狀態要么被S輸入端的0置位;要么被R輸入端的0復位:如果S、R同時為1則狀態維持;但S、R不得同時為0。對於同樣狹義的SR型,情況與此相反。
(2)JK型——與SR型類似,但J輸入端、K輸入端可以同時為1(狀態翻轉)或0(狀態維持)。用JK型可以構成其他類型的記憶單元。
(3)D型——D輸入端提供數據(Data)。有的資料稱D是代表延遲。當時鐘事件出現時,其輸出Q端值由輸入的D值透明地加以確定。
(4)T型——可以將D型的Q接到D,將T作為時鐘
端的輸入而構成。這時Q輸出的將是T時鐘信號的二分頻。對這種T型還可以加上分頻使能控制端。
對於記憶單元而言,最重要的仍然是在正確的位置、正確的時刻存儲正確的數據。為了使記憶單元能可靠工作,兩個用以表征數據與時鐘制約關係的額定參數——數據建立時間和保持時間必須得到滿足。對於時鐘上升邊觸發的記憶單元電路而言,時鐘上升邊沿(也有文獻是取上升邊中點)前的一段數據最小穩定期稱之為建立(sp),之後的一段為保持(hp)。邏輯門級聯後的累計延遲因素往往破壞了記憶單元sp和hp的額定要求,從而限制了整個系統工作的最高速度。在波形分析時往往要對此備加關注。

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