突變pn結（abruptp-njunction）
當半導體內的雜質從受主雜質突變為施主雜質時，稱為突變結。
基本介紹
- 中文名：突變pn結
- 外文名：abrupt p-n junction
突變pn結（abruptp-njunction）
用合金法製造的pn結，n型區中施主雜質濃度和p型區中受主雜質濃度都是均勻分布的。在交界面處雜質濃度由nA（p型區）突變為nD（n型區），具有這種雜質分布的pn結稱為突變結。實際的突變結，兩邊的雜質濃度差很多，通常稱這種結為單邊突邊結（記為p n，或n p）。
如果一邊的摻雜濃度遠大於另一邊（如：
） ，則p-n結勢壘區主要是在輕摻雜一邊，這種突變結即稱為單邊突變結（
）。例如BJT的發射結往往就可以當作為突變結。在耗盡層近似下，突變p-n結中的內建電場呈線性分布（三角形），最大電場出現在界面（x=0）處，為：
勢壘厚度為: 
=+= { 2ε(+)/ ( q) }1/2 ，即耗盡層寬度( )與勢壘高度( q) 直接有關。
特別, 對單邊突變的p-n結，因為≥，則有：
