移動DDR

Mobile DDR(也稱MDDRLow Power DDRLPDDR)是DDR SDRAM的一種,專門用於移動式電子產品,例如手機等。

基本介紹

  • 中文名:移動DDR
  • 外文名:MDDR
  • 領域:計算機
簡介,LPDDR2,LPDDR3,LPDDR4,

簡介

DDR記憶體DDRDDR2、DDR3發展到DDR4,頻率更高、電壓更低的同時卻也讓反應時間不斷變大,改變著記憶體子系統。而DDR4最重要的使命是提高頻率和頻寬,每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬,擁有高達4266MHz的頻率,記憶體容量最大可達到128GB,運行電壓正常可降低到1.1V~1.2V。
相對於DDR記憶體,MDDR具有低功耗、高可靠性的特點,目前韓國三星與美光科技(Micron Technology)掌握該項技術。AppleiPad,Samsung Galaxy Tab以及Motorola Droid X都使用LPDDR。
MDDR的運行電壓(工作電壓)相比DDR的標準電壓要低,從第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使內部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的頻寬,輸入/輸出接口數據傳輸速度最高可達3200Mbps,電壓降到了1.1V。至於最新的LPDDR4X,與LPDDR4相同,只是通過將I/O電壓降低到0.6V而不是1.1V來節省額外的功耗,也就是更省電。

LPDDR2

一個新的JEDEC標準JESD209-2F定義了low-power DDR接口標準。它與DDR1或DDR2 SDRAM並不兼容,但類似:
  • LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1),
  • LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2),或
  • LPDDR2-N: 非易失性(NAND)記憶體。
低功耗狀態基本相似,LPDDR,一些額外的部分數組更新選項。
LPDDR2也有一個低電平有效的chip select(高時,一切都是NOP)和時鐘(clock)打開CKE信號,操作像SDRAM。
  • 如果晶片被激活(active),它凍結(freeze)到位。
  • 如果該命令是一個NOP(CS低或CA0 - 2 = HHH),晶片空閒。
  • 如果該命令是一個更新命令(CA0 - 2 = LLH),晶片進入自更新狀態。
  • 如果該命令是一個突發終止(CA0 - 2 = HHL),晶片進入深斷電狀態。 (完全復位序列時,需要離開。)

LPDDR3

2012年5月,JEDEC公布JESD209-3低功耗記憶設備標準。比起LPDDR2,LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率,並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT(On Die Termination)與低I/O電容。LPDDR3支持PoP封裝(package-on-package)與離散封裝兩種形式。

LPDDR4

2013年3月14日,JEDEC固態技術協會舉辦會議,探討未來移動設備的新標準,如LPDDR4。

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