磁鍍線存儲器

磁鍍線存儲器(英語:Plated wire memory)是由貝爾實驗室在1957年研發的一個磁芯記憶體分支。它最主要的優勢在於它能夠被機械組裝,相比手工組裝的磁芯,這潛在地降低了成本。

基本介紹

  • 中文名:磁鍍線存儲器
  • 外文名:Plated wire memory
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簡介

磁鍍線存儲器使用了格線式導線,並塗上了一層鐵-鎳合金(透磁合金)薄層,而不是獨立的鐵酸鹽核心。傳統存儲在鐵酸鹽核心的磁場被存儲在導線本身。磁鍍線存儲器的工作方式和磁芯存儲器基本類似,但是可以和一個不要求重刷新(refreing)的非破壞性讀取設備構建在一起。
磁鍍線存儲器有許多套用,典型的包括航空航天。它在UNIVAC 1110和UNIVAC 9000系列計算機、海盜號登火星計畫、LGM-30 Minuteman和哈勃空間望遠鏡中都有套用。

磁芯存儲器

磁芯存儲器(英語:Magnetic Core Memory)是一種早期的計算機存儲器。磁芯存儲器是利用磁性材料製成之存儲器,其原理為:將磁環(磁芯)帶磁性或不帶磁性之狀態,用以代表1或0之比特,一長串1或0之組合就代表要存儲之信息。
磁芯存儲器是一種隨機存取存儲器(Random Access Memory),在計算機中可擔任主存的角色。比起真空管而言,磁芯存儲器省電、也沒有真空管的壽命問題。當計算機進入半導體時代後,仍然有一段相當的時間,磁芯存儲器持續擔任主存的角色。又由於磁芯存儲器是非易失性存儲器(Non-volatile Memory),它的一個特色是:即使當機或電源中斷,只要沒有發生錯誤的寫入信號,則仍然可保有其內容。
對磁芯存儲器有重要貢獻的一位是王安博士,他也是王安計算機的創辦人。他發明了讀後即寫(write-after-read cycle),解決了磁芯體套用上的一大重要問題,即讀取同時就會擦除記憶而無法保有數據的難題,後來並獲取了相關的專利。
雖然現今使用半導體存儲器已經很久,但有時仍然沿用傳統的名稱,還把存儲器稱為Core,其中一個明顯的例子就是Core Dump:在程式崩潰而異常中斷時,將主存內容保存起來,以作調試之用。

透磁合金

透磁合金,又稱坡莫合金的磁合金。通常指,20%鐵和80%鎳的合金。透磁合金有高磁導率,低矯頑力,接近0的磁力控制,和明顯的各向異性磁阻效應。當不定的壓力在薄膜上很可能對電磁特性引起毀滅性的改變,其低磁力控制則在工業套用上具有決定性的意義。透磁合金的電阻率通常由於強度和所施加磁場的方向的因素,變化範圍在5%以內。透磁合金具有典型的等軸晶系晶體結構,其晶格常量約為0.355nm,在臨近鎳80%集中的區域。

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