磁控濺射沉積

磁控濺射是20世紀70年代迅速發展起來的新型我射技術。其鍍膜速率與二極濺射相比提高了一個數量級。1974 年Chapin 發明了適於工業套用的平面磁控濺射靶，對磁控濺射進人生產領域起了推動作用。磁控濺射的特點是在陰極靶面建立了一個環形磁場，以控制二次電子的運動。

磁控濺射靶大致可分為柱狀靶和平面靶兩大類。在工業生產中廣泛套用的是矩形平面靶。目前已有長度達到4m的矩形靶用於鍍制窗玻璃的隔熱膜。讓基片連續不斷地由矩形靶下方通過，不但能鍍制大面積的窗玻璃，還適於在成卷的聚酯帶上鍍制各種膜層。