矽片清洗

半導體器件生產中矽片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。 清洗的目的在於清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在於矽片表面。會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。。

基本介紹

• 中文名：矽片清洗
• 外文名： silicon wafer cleaning
• 目的：清除表面污染雜質
• 方法：物理清洗和化學清洗
• 雜質：有機物和無機物
• 效果：防止器件失效
• 雜質形態：原子狀態或離子狀態

研究意義

隨著大規模積體電路的發展,集成度的不斷提高,線寬的不斷減小,對矽片的質量要求也越來越高,特別是對矽拋光片的表面質量要求越來越嚴。這主要是因為拋光片表面的顆粒和金屬雜質沾污會嚴重影響器件的質量和成品率,對於線寬為0.35μm的64兆DRAM器件,影響電路的臨界顆粒尺寸為0.06μm,拋光片的表面金屬雜質沾污應全部小於5× 1016 at/cm2,拋光片表面大於0.2μm的顆粒數應小於20個/片。在目前的積體電路生產中,由於矽拋光片表面沾污問題,仍有50%以上的材料被損失掉。

在矽電晶體和積體電路生產中,幾乎每道工序都有矽片清洗的問題,矽片清洗的好壞對器件性能有嚴重的影響,處理不當,可能使全部矽片報廢,做不出管子來,或者製造出來的器件性能低劣,穩定性和可靠性很差。矽片清洗法和,不管是對於從矽片加工的人,還是對於從事半導體器件生產的人來說都有著重要的意義。

沾污雜質來源

為了解決矽片表面的沾污問題,實現工藝潔淨表面,我們需要弄清楚矽片表面引入了哪些雜質,然後選擇適當的矽片清洗方法達到去除的目的。在矽片加工及器件製造過程中,所有與矽片接觸的外部媒介都是矽片沾污雜質的可能來源。這主要包括以下幾方面:矽片加工成型過程中的污染,環境污染,水造成的污染,試劑帶來的污染,工業氣體造成的污染,工藝本身造成的污染,人體造成的污染等。儘管矽片沾污雜質的來源不同,但它們通常可劃分為幾類。

一般程式

吸附在矽片表面上的雜質可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質與矽片表面之間的吸附力較弱,清除這類雜質粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質,具有疏水性的特點,對於清除離子型和原子型雜質具有掩蔽作用。

因此在對矽片進行化學清洗時,首先應該把它們清除乾淨。離子型和原子型吸附的雜質屬於化學吸附雜質,其吸附力都較強。

在一般情況下,原子型吸附雜質的量較小,因此在化學清洗時,先清除掉離子型吸附雜質,然後再清除殘存的離子型雜質及原子型雜質。

最後用高純去離子水將矽片沖冼乾淨,再加溫烘乾或甩乾就可得到潔淨表面的矽片。

綜上所述,清洗矽片的一般工藝程式為:去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。

另外,為去除矽片表面的氧化層,常要增加一個稀氫氟酸浸泡步驟。

化學清洗

化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和電漿法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。

放射示蹤原子分析和質譜分析表明，採用雙氧水體系清洗矽片效果最好，同時所用的全部化學試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發掉。用H2SO4和H2O2清洗矽片時，在矽片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子，用後一種酸性清洗液時可以完全被清除。用H2O2體系清洗矽片無殘留物，有害性小，也有利於工人健康和環境保護。矽片清洗中用各步清洗液處理後，都要用超純水徹底沖洗。

物理清洗

物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超音波清洗：超音波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小於 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。

發展展望

伴隨著矽片的大直徑化,器件結構的超微小化、高集成化,對矽片的潔淨程度、表面的化學態、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態的要求越來越高。

同時,要求用更經濟的、給環境帶來更少污染的工藝獲得更高性能的矽片。高集成化的器件要求矽片清洗要儘量減少給矽片表面帶來的破壞和損傷,儘量減少溶液本身或工藝過程中帶來的沾污。

清洗設備正向著小型化、非盒式化及一次完成化(所有清洗與乾燥步驟在一個槽內進行)方向發展,以減少工藝過程中帶來的沾污,滿足深亞微米級器件工藝的要求。這無論對清洗工藝還是對清洗設備都是一個極大的挑戰,傳統的清洗方法已不能滿足要求。

臭氧水、兆聲波、電解離子水等的套用顯示出很好的去除矽片表面顆粒和金屬沾污的能力,對矽片表面微觀態的影響很小。而且,它們的使用使清洗設備小型化及清洗工藝一次完成化的實現成為可能。

同時,它們對環境的低污染度也是傳統的清洗溶液所不能比擬的。在未來的清洗工藝中它們可能會被廣泛地套用。