RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的，並由此而得名。
基本介紹
- 中文名：RCA標準清洗法
- 首創人：Kern和Puotinen
- 時間：1965年
- 地點：RCA實驗室
RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的，並由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液中，並能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除矽片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除矽片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，矽片表面的矽幾乎不被腐蝕。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由於H2O2的作用，矽片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，矽片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由於矽片表面的自然氧化層與矽片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在矽片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕矽片表面的同時，H2O 2又在氧化矽片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用於去除矽片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除矽片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分矽片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然後溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷；最後再去除顆粒、金屬等沾污，同時使矽片表面鈍化。
