片式多層瓷介電容器簡稱片式電容器,是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷晶片，再在晶片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體，故也叫獨石電容器。
基本介紹
- 中文名：片式多層瓷介電容器
- 外文名：Chip multilayer ceramic capacitor
產品定義,基本結構,選用,發展趨勢,
產品定義
片式電容器除有電容器 “隔直通交”的通性特點外，其還有體積小，比容大，壽命長，可靠性高，適合表面安裝等特點。隨著世界電子行業的飛速發展，作為電子行業的基礎元件，片式電容器也以驚人的速度向前發展，每年以10%～15%的速度遞增。目前，世界片式電容的需求量在 2000億支以上，70%出自日本，其次是歐美和東南亞（含中國）。隨著片容產品可靠性和集成度的提高，其使用的範圍越來越廣，廣泛地套用於各種軍民用電子整機和電子設備。如電腦、電話、程控交換機、精密的測試儀器、雷達通信等。
片式多層瓷介電容器執行標準:
1類片式多層瓷介電容器執行標準:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21：2004)；
2類片式多層瓷介電容器執行標準:GB/T 21042-2007(IEC60384-22：2004)；
基本結構
簡單的平行板電容器的基本結構是由一個絕緣的中間介質層加外兩個導電的金屬電極，基本結構如下：
因此，多層片式陶瓷電容器的結構主要包括三大部分：陶瓷介質，金屬內電極，金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個多層疊合的結構，簡單地說它是由多個簡單平行板電容器的並聯體。
選用
一、片式多層瓷介電容器功能選用
片式多層瓷介電容器因為具有“隔直通交”的特性，同時它是一個儲能的元件，因此在電路中常有功用有以下幾個方面： 1、片式多層瓷介電容器用於儲能交換 這是電容器最基本的功用，主要是通過它的充放電過程來產生和施放一個電能。這主要是以大容量的Ⅱ類電容器為主，在某些情況下甚至可以代替小型鋁電解電容器和鉭電解電容。 2、片式多層瓷介電容器用於隔直通交（旁路與耦合） 由於電容器並非是一個導通體，它是通過交流的有規律的轉向而體現出兩端帶電的現象，因此，在電路中它可以同其它元件並聯，使交流通過，而直流被阻隔下來，起到旁路的作用。在交流電路中，電容器跟隨輸入信號的極性變化而進行充放電，從而使連線電容器兩端的電路表現導通的狀態，起到耦合的作用。一般說來，與放大器或運放輸入端相聯電容器的為耦合電容器；與放大器或運放發射極相聯的電容器為旁路電容器。兩者均以Ⅱ類電容器為主，特別是0.1uF 的電容居多。 3、片式多層瓷介電容器用於鑒頻濾波 在交流電路中，對於一個多頻率混合的信號，我們可以用電容器將其部分分開，一般來說，我們可以使用一個合理電容量的電容器將大部分的低頻信號過濾掉。這主要以高頻或超高頻電容器為主。 4、用於浪涌電壓的抑制 由於電容器是一個儲能元件，因此，在電路中，它可以去除那些短暫的浪涌脈衝信號，也可以吸收電路中電壓起伏不定所產生的多餘的能量。 濾波主要以高頻產品為主。二、片式多層瓷介電容器介質材料、容量值、容量級別的選用參考 介材料介電常數可做產品容量範圍（以1206規格為例）對應容量級別COG(CG)15～901.0～2200pFB,C,D,F,G,JX7R(B)2600～36001～100nFJ,K,MZ5U(E)15000～200010～470nFM,S,ZY5V(F)15000～200010～470nFM,S,Z 註：BME（內電極為NI）同規格可做更大容量的產品。
發展趨勢
為了滿足電子整機不斷向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向發展。多層片式電容器也隨之迅速向前發展：種類不斷增加，體積不斷縮小，性能不斷提高，技術不斷進步，材料不斷更新，輕薄短小系列產品已趨向於標準化和通用化。其套用逐步由消費類設備向投資類設備滲透和發展。移動通信設備更是大量採用片式元件。
片式電容具有容量大，體積小，容易片式化等特點，是當今通訊器材、計算機板卡及家電遙控器及中使用最多的元件之一。隨著SMT的迅速發展，其用量越來越大，僅每部行動電話中的用量就達200個之多。因此，片式多層瓷介電容器2002年全球量達4000億隻，最小尺寸為0402 ，甚至0201。
隨著世界電子信息產業的迅速發展，片式電容的發展方向呈現多元化。(1)為了適應攜帶型通信工具的需求，片式多層電容器也正在向低壓大容量、超小超薄的方向發展。(2)為了適應某些電子整機和電子設備向大功率高耐壓的方向發展（軍用通信設備居多），高耐壓大電流、大功率、超高Q值低ESR型的中高壓片式電容器也是目前的一個重要的發展方向。 (3)為了適應線路高度集成化的要求，多功能複合片式電容器（LTCC）正成為技術研究熱點。
