歐文，畢業於浙江大學物理系，中國科技大學半導體物理專業碩士。主要負責負責項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”
基本介紹
- 中文名：歐文
- 國籍：中國
- 職業：副研究員
- 畢業院校：浙江大學、中國科技大學
- 主要成就：負責項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”
基本信息,簡歷,學習經歷,工作經歷,研究方向,代表論著,承擔科研項目情況,在研主要項目,完成的主要項目,
基本信息
性 別: 男
職 稱: 副研究員
學 歷: 研究生
所屬部門：
積體電路先導工藝研發中心
簡歷
學習經歷
1. 中國科技大學半導體物理專業碩士畢業；
2. 浙江大學物理系本科畢業；
工作經歷
1. 2009年4月-至今：中國科學院微電子研究所十室副研究員，從事CMOS先進工藝技術和CMOS MEMS研究；
2. 2007年7月-2009年4月：渝德科技（重慶）有限公司C&C部門經理；
3. 2005年9月-2007年3月：華潤上華科技有限公司北京分公司工藝部經理；
4. 2004年5月－2005年7月:中國科學院微電子所矽工程中心研究員課題負責人;
5. 1998年7月－2004年5月：中國科學院微電子研究所第1研究室，課題負責人，副研究員/研究員;
6. 1997年7月－1998年7月：香港科技大學電子工程系，訪問學者
7. 1992年9月－1997年7月：中國科學院微電子所第3研究室，助理研究員
研究方向
CMOS 新器件，新工藝研究，CMOS MEMS研究
代表論著
“CF4預處理後熱生長薄柵氧漏電流及勢壘研究”，劉倜，歐文，半導體學報，2004，
“閃速存儲器的單管多位技術”,李多力，歐文，微電子學，Vol.34,No.3,2004年6月，pp241-245
“深矽槽的刻蝕研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp242-245
“光刻膠的刻蝕技術研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp264-267
“Flash 器件中氧化矽/氮化矽/氧化矽的特性”，半導體學報，Vol.24,No.5,2003年,pp516-519
承擔科研項目情況
在研主要項目
1. 先進納米CMOS關鍵工藝技術先導研究；
2. 國家863計畫“MEMS與IC集成製造技術及套用”方向”MEMS紅外焦平面陣列及CMOS讀出電路集成”研究。
完成的主要項目
1.負責國家973項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”，圓滿完成（2000年－2005年）；
2.負責“超深亞微米關鍵技術－多層布線技術的研究”，圓滿完成任務（2001年－2005年）；
3.參加“九五”攻關項目“0.35um積體電路關鍵技術研究”和“0.1um級CMOS器件和性能研究”，圓滿完成任務，共同獲得北京市科技進步2等獎；
4.負責自主研製成功實驗型CMP設備；
5.參加“八五”國家重點科技項目《HBT和HEMT基礎技術研究》中“0.2-0.5um 微細加工及新結構異質結器件研究”，負責其中HBT新結構器件的研究；提出一種新的HBT器件結構和解決HBT器件中歐姆接觸問題；獲得優秀論文一篇；
6.參加中國科學院“八五”重大科研項目“新結構器件及微細加工研究”。
