博士，研究員，博士生導師，於1982年在西安交通大學獲得電子工程系半導體物理與器件專業工學學士學位，於1984年在信息產業部電子第十三研究所獲得半導體材料與器件物理專業工學碩士學位，於1991年在中科院西安光學精密機械研究所獲得光學專業理學博士學位。1991～1993年：在半導體研究所作博士後研究工作，從事GaAs材料的生長及器件研究，在III-V GaAs紅外量子阱探測器方面做出了較有影響的研究工作；1993～1995年：在半導體研究所從事新型半導體材料的研究工作；1995～2002年，任半導體研究所材料中心主任，所長助理，所學術委員會委員，從事新型半導體材料研究工作，主持並完成了國家"九五"重大科技攻關項目"北方微電子基地"的"國家新型半導體材料研究基地建設"以及"新型半導體材料"項目，包括：亞微米、深亞微米CMOS電路用薄層外延Si材料項目；雙異質SOI材料項目；高溫MESFET用GaN外延材料；高溫功率器件用MBE SiC材料；1999.10～2002.01：訪美學者。1999～至今：半導體研究所創新工程重大項目"半導體功能材料"負責人。在科研、科研管理的同時，積極探索科研成果轉化為生產力的途徑，積極尋求社會資本，參與組建了北京中科鎵英半導體有限責任公司，致力於化合物半導體單晶材料和外延材料的開發生產。
基本介紹
- 中文名：李晉閩
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 職業：博士，研究員，博士生導師
英文論著,中文論著,
英文論著
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Liu-B ,Zhuang-QD ,Yoon-SF, Dai-JH, Kong-MY ,Zeng-YP, Li-JM,Lin-LY, Zhang-HJ, "Properties and Turning of Intraband Optical-Absorption in InxGa1-xAs/GaAs Self-Assembled Quantum-Dot Superlattice" INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 2001, Vol 15, Iss 13, pp 1959-1968,2001.
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Li-JM, Sun-GS, Zhu-SR, Wang-L, Luo-MC ,Zhang-FF, Lin-LY, Homoepitaxial Growth and Device Characteristics of SiC on Si-Face-(0001) 6H-SiC JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 816-819 ,2001.
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Gao-F, Huang-DD ,Li-JP, Lin-YX ,Kong-MY, Li-JM, Zeng-YP ,Lin-LY, The Growth of Si/SiGe/Si Structures for Heterojunction Bipolar-Transistor by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2000, Vol 220, Iss 4, pp 457-460,2001.
中文論著
《場助半導體光電陰極理論與實驗》 科學出版社 1993年
