Ⅲ族氮化物發光二極體技術及其套用

出版信息

Ⅲ族氮化物發光二極體技術及其套用
作者:李晉閩/王軍喜/劉喆
出版社:科學出版社
出版年:2016-3
頁數:280
定價:148.00
裝幀:平裝
ISBN:9787030472649

內容簡介

本書以作者及其研究團隊多年的研究成果為基礎，系統地介紹了Ⅲ族氮化物發光二極體的材料外延、晶片製作、器件封裝和系統套用，內容集學術性與實用性為一體。全書共12章，內容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性質及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技術、關鍵製備工藝、封裝技術及可靠性分析，LED的套用，最後介紹了當前氮化物LED的一些研究前沿和熱點。

目錄

《半導體科學與技術叢書》出版說明
前言
第1章緒論
參考文獻
第2章LED的基本原理
2.1LED發光原理
2.2輻射複合與非輻射複合
2.3LED的光學特性與電學特性
2.4白光LED原理
參考文獻
第3章Ⅲ族氮化物LED材料的性質與測試
3.1Ⅲ族氮化物的晶體結構和能帶結構
3.2Ⅲ族氮化物材料的極化效應
3.3Ⅲ族氮化物LED材料的摻雜
3.4Ⅲ族氮化物材料性質測試分析
參考文獻
第4章Ⅲ族氮化物LED材料的外延生長
4.1外延生長基本模式
4.2Ⅲ族氮化物LED外延生長的襯底
4.3Ⅲ族氮化物LED外延技術
4.4MOCVD生長氮化物材料的兩步生長法
4.5Ⅲ族氮化物材料外延層生長條件對材料質量的影響
4.6SiC襯底上高質量GaN的外延技術
參考文獻
第5章InGaN
5.1InGaN材料體系簡介
5.2InGaN
5.3量子限制斯塔克效應
5.4InGaN
5.5綠光LED及非極性、半極性LED
參考文獻
第6章AIGaN基多量子阱材料及紫外LED
6.1AIGaN材料體系簡介
6.2AIGaN材料的光學特性和電學特性
6.3AIGaN材料外延生長和摻雜技術

6.4紫外LED的結構設計及製備
參考文獻
第7章Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技術
7.1LED的三種結構
7.2內部量子效率提升技術
7.3光取出效率提升技術
7.4電流注入效率提升技術
7.5Droop效應
參考文獻
第8章Ⅲ族氮化物LED的關鍵製備工藝
8.1Ⅲ族氮化物LED製備工藝流程
8.2光刻工藝
8.3刻蝕工藝
8.4蒸發和濺射
8.5歐姆接觸
8.6倒裝結構LED的關鍵工藝
8.7垂直結構LED的關鍵工藝
8.8交流
參考文獻
第9章Ⅲ族氮化物LED的封裝
9.1Ⅲ族氮化物LED封裝材料
9.2Ⅲ族氮化物LED封裝工藝
9.3LED封裝技術
9.4封裝及系統散熱技術
9.5封裝形式的發展趨勢
參考文獻
第10章Ⅲ族氮化物LED器件的可靠性分析
10.1失效模式和失效分析
10.2LED老化測試和老化機制
10.3LED系統可靠性
參考文獻
第11章LED的套用
11.1新型光環境技術
11.2可見光通信套用系統
11.3LED顯示
11.4植物照明套用
11.5醫療套用
參考文獻
第12章新型氮化物LED技術
12.1GaN基納米柱LED
12.2量子點LED
12.3表面等離激元增強GaN基LED
12.4GaN基偏振光LED
參考文獻
索引