中國科學院半導體研究所

中國科學院半導體研究所於1960年成立，是中國國務院直屬事業單位，是集半導體物理、材料、器件及其套用於一體的半導體科學技術的綜合性研究機構。

研究所主要的研究方向和領域有半導體物理、材料、器件、工藝、電路及其集成套用研究等。

據2016年9月研究所官網顯示，研究所擁有14個科研機構，與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發（轉移）中心、9個聯合實驗室；擁有3個博士後流動站，3個一級學科博士培養點，包括5個二級學科博士培養點；擁有5個二級學科碩士培養點，3個專業學位碩士培養點；共有職工690餘名，在學研究生近600名。2019年，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊創新設計金屬光柵側向耦合分布反饋（LC-DFB）結構，成功實現了2μm波段高性能單模雷射器，綜合性能達到國際一流水平並突破國外高端雷射器進口限制性能的規定條款。

基本介紹

• 中文名：中國科學院半導體研究所
• 外文名：Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences
• 簡稱：中科院半導體所
• 主管部門：中國科學院
• 成立時間：1960年
• 博士後流動站：3個
• 博士點：3個一級學科 5個二級學科
• 碩士點：5個二級學科 3個專業碩士
• 專職院士：中國科學院7人 中國工程院2人
• 現任所長：李樹深
• 地址：北京市海淀區清華東路甲35號

發展歷史

1956年，在中國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一，成立中國科學院物理研究所半導體研究室。

1957年秋天，半導體研究室拉製成功了中國第一根鍺單晶。

1958年初秋，在林蘭英帶領下，中國的第一根矽單晶誕生。

北大門

1960年9月6日，在中國科學院物理研究所半導體研究室基礎上成立中國科學院半導體研究所，隸屬於中國科學院。

1975年，恢復中國科學院半導體研究所名稱，隸屬於中國科學院。

2006-2009年，連續四次獲得“中央國家機關文明單位”榮譽稱號。

2009年起，半導體所新增材料工程、電子與通信工程、積體電路工程3個專業學位碩士研究生（工程碩士）培養點。

2012年3月，半導體所申報的物理學、材料科學與工程、電子科學與技術三個一級學科博士培養點獲得中國科學院通過。

2015年12月，英國《自然》出版集團以增刊方式發布了《2015中國自然指數》（NatureIndex2015China），半導體所位列第40名。

2016年3月5日，“半導體科技發展”技術科學論壇在中國科學院半導體研究所學術會議會議中心召開。

2016年5月，獲“2015年度中科院決算編制工作先進單位”稱號。

科研條件

設備設施

• 科研設備

截至2012年3月，中心具有各類環境模擬試驗設備30餘台（套），有Royce650 鍵合拉力與晶片剪下力測試儀、SM-105-MP AVEX 機械衝擊台、TIRA 電磁變頻振動台、WEB9051離心機、UL1000氦質譜檢漏儀、EDA407內部水汽檢測儀、TE-05-70-WH高低溫(濕熱)快速溫度變化試驗箱、內引線拉力、晶片剪下應力測試儀、PIND4511L顆粒碰撞噪聲檢測儀、充氮充氦氟油加壓檢漏裝置、離心機、電動振動試驗系統、衝擊台、鹽霧腐蝕試驗箱、高溫試驗箱、高低溫試驗箱、高低溫交變濕熱試驗箱、氦質譜檢漏儀等設備，可依據GJB548B、GJB128A、GJB360A、GB/T2423等試驗方法標準的要求開展相關試驗，試驗項目包括機械衝擊、振動、恆定加速度、耐濕、鹽霧、晶片剪下、鍵合拉力、粒子碰撞噪聲（PIND）、粗細檢漏以及高低溫循環、貯存、老練、壽命、熱衝擊等，並可提供相應的試驗報告及數據。

• 館藏資源

據2016年9月研究所官網顯示，研究所圖書信息中心擁有科學出版社“科學文科”電子圖書42000種、超星“讀秀”中文電子書約400萬種、方正中文電子書約200萬種、半導體所電子書約4000種（英文700餘種，中文3000餘種），擁有IOPP英國物理學會電子書、SPIE國際光學工程學會電子書、Springer出版公司電子書、Wiley出版公司電子書、RSC英國皇家化學會電子書、Semiconductors and Semimetals（Elsevier系列叢書）、Progress in Optics（Elsevier系列叢書）、Solid State Physics（Elsevier系列叢書）等；擁有566種電子期刊。

人員編制

據2016年9月研究所官網顯示，研究所共有職工690餘名，其中科技人員480餘名，正副研究員及高級工程技術人員209名。中國科學院院士7名、中國工程院院士2名、瑞典皇家科學院外籍院士1名、第三世界科學院院士1名、開發中國家科學院院士1名；國家千人計畫3名、中組部青年千人計畫8名、中國科學院百人計畫21名、國家百千萬人才工程入選者7名、國家傑出青年基金獲得者16名。

新科研樓

中國科學院院士：黃昆（已故）、王守武（已故）、林蘭英（已故）、王守覺（已故）、王啟明、鄭厚植、王占國、王圩、李樹深、夏建白

中國工程院院士：梁駿吾、陳良惠

第三世界科學院院士、瑞典皇家科學院外籍院士：黃昆（已故）

開發中國家科學院院士：李樹深

國家千人計畫：吉晨、儲濤、周曉光

中組部青年千人計畫：張韻、李明、李傳波、駱軍委、張俊、王毅軍、游經碧、魏大海

中國科學院百人計畫：祝寧華、牛智川、劉育梁、吳南健、常凱、李新奇、姬揚、楊晉玲、吳曉光、張興旺、黃永箴、馬文全、李樹深、楊濤、張新惠、李京波、楊林、王開友、陳涌海、袁國棟、阿卡迪·米哈伊魯什金

國家百千萬人才工程：李樹深、祝寧華、陳涌海、安俊明、常凱、牛智川、劉峰奇

國家傑出青年基金獲得者：祝寧華、肖建偉、吳曉光、黃永箴、李樹深、姬揚、李新奇、常凱、劉峰奇、牛智川、陳涌海、趙德剛、李京波、鄭婉華、王開友、譚平恆

科研部門

據2016年9月研究所官網顯示，研究所擁有2個國家級研究中心、3個國家重點實驗室、2個院級實驗室（中心）；設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、高速電路與神經網路實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、元器件檢測中心和半導體能源研究發展中心；科學技術部和國家外國專家局批准成立“國家級國際聯合研究中心”。

三號淨化樓

國家級研究中心：國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心

國家重點實驗室：半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區）

院級實驗室（中心）：半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心

合作交流

據2016年9月研究所官網顯示，研究所與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發（轉移）中心、9個聯合實驗室，融合社會資本建立了10餘家高技術企業。

院士工作站：河南省光電子技術院士工作站

二號科研樓

研發（轉移）中心：蘇州中科半導體集成技術研發中心、揚州中科半導體照明研發中心

聯合實驗室：中國科學院半導體所-納川電子集成技術聯合實驗室、西安交通大學—中國科學院半導體研究所信息功能材料與器件聯合實驗室、中國科學院半導體所—四川九洲光電科技有限公司共建聯合實驗室、中國科學院半導體研究所—迅捷光電聯合實驗室、中國科學院半導體研究所—天津信息感測與智慧型控制產學研聯合實驗室、揚州中科半導體照明有限公司—中科院半導體所聯合實驗室、中國科學院半導體研究所—北京航星網訊技術股份有限公司聯合實驗室、中國科學院半導體研究所—江蘇領世雷射科技有限公司聯合實驗室、深圳市威富安防有限公司-中國科學院半導體研究所認知計算技術聯合實驗室

科研成就

科研成果

2001年，黃昆獲國家最高科學技術獎。

2008-2013年，共申請專利千餘項，授權677項，每年SCI論文300篇以上。2006-2009年，研究所分別以技術入股、專利許可、技術授權等方式轉讓專利和專有技術58項，技術開發契約123項，技術開發契約及轉讓收入2.62億元。截至2013年，研究所半導體材料製備與器件研製領域共獲得127項專利，全固態雷射器系統領域共獲得13項專利，半導體光收發器件、光電子集成及光電感測器件、無源器件研製領域共獲得306項專利，智慧型計算系統與模式識別領域共獲得14項專利，半導體加工與測試工藝領域共獲得28項專利，雷射成像系統領域共獲得12項專利，高亮度發光二極體（LED）工藝與設備領域共獲得26項專利，積體電路設計與測試領域共獲得36項專利，太陽能電池技術領域共獲得25項專利。

一號科研樓

1985-2015年，研究所獲北京市科技進步獎1項、北京市科學技術獎6項、北京市科學技術進步獎1項、北京市星火科技獎1項、高等學校科學研究優秀成果獎（科學技術）科技進步獎1項、國家技術發明獎3項、國家科技進步獎2項、國家科學技術進步獎19項、國家自然科學獎4項、河北省技術發明獎1項、化學工業部科技進步獎1項、機電部科技進步獎2項、省部技術發明獎1項、省部科學技術進步獎1項、省部自然科學獎1項、天津市科技合作獎1項、天津市科技進步獎2項、鐵道部科技進步獎2項、中國電子學會科學技術獎2項、中華農業科技獎1項、中科院科技進步獎75項、中科院自然科學獎23個。

2010-2015年，以技術入股、專利許可、技術授權等方式轉讓專利和專有技術44項，技術契約253項，橫向收入4.8億元。

2019年，在國家973計畫、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等，突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。在此基礎上，研究團隊創新設計金屬光柵側向耦合分布反饋（LC-DFB）結構，成功實現了2μm波段高性能單模雷射器，邊模抑制比達到53dB，是目前同類器件的最高值；而且輸出功率達到40mW，是目前同類器件的3倍以上。在銻化物量子阱大功率雷射器方面， FP腔量子阱大功率雷射器單管和巴條組件分別實現1.62瓦和16瓦的室溫連續輸出功率，綜合性能達到國際一流水平並突破國外高端雷射器進口限制性能的規定條款。
該成果引起國際學術界和產業界廣泛關注，《化合物半導體》雜誌評價“該單模雷射器開創性提升邊模抑制比，為天基衛星載LIDAR系統和氣體檢測系統提供了有競爭力的光源器件”。該研究成果攻克了短波紅外雷射器領域關鍵技術，在危險氣體檢測、環境監測、醫療與雷射加工等諸多高新技術產業具有非常廣闊的套用價值。

學術刊物

《半導體學報》（Journal of Semiconductors）

《半導體學報》（Journal of Semiconductors）是月刊，由中國電子學會主辦，中國科學院半導體研究所承辦的學術刊物，報導半導體物理學和半導體科學技術領域內最新的科研成果和技術進展，被EI、CA、SA等收錄，在中國科學院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評比中多次獲獎。主要欄目有：研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展等。

人才培養

學科建設

據2016年9月學校官網顯示，學校擁有3個博士後流動站，3個一級學科博士培養點，5個二級學科博士培養點，5個二級學科碩士培養點，3個專業學位碩士培養點。

博士後流動站：物理學、材料科學與工程、電子科學與技術

一級學科博士培養點：物理學、材料科學與工程、電子科學與技術

二級學科博士培養點：凝聚態物理、材料物理與化學（半導體材料）、物理電子學、電路與系統、微電子學與固體電子學

二級學科碩士培養點：凝聚態物理、材料物理與化學、物理電子學、電路與系統、微電子學與固體電子學

專業學位碩士培養點：材料工程、電子與通信工程、積體電路工程

教學建設

2015屆畢業生中博士畢業86人，碩士畢業45人。

2015年12月，在首屆國科杯“我要創業”大賽中，研究所創業團隊參賽的“級聯高新光電”項目獲二等獎。

研究所設立了所長獎學金。

文化傳統

形象標識

研究所所徽是漢字“半導”組合行程的圖案，紅色的1960是研究所創建年份。所徽的外環上方是研究所英文名稱，下方中文名稱。

所徽

所徽整體以寓意嚴謹、科學的藍色為主色調。

文化活動

據2016年9月研究所官網顯示，研究所先後組織師生開展羽毛球、排球、籃球友誼聯賽、“我愛記歌詞”大賽、“拒絕菸草·健康生活”簽名活動、迎新年聯誼會、趣味運動會、攝影大賽、徵文比賽、愛國主義系列主題教育等活動。

機構領導

現任領導

職務	姓名
所長	李樹深
黨委書記、副所長	張春先
副所長	陳弘達、祝寧華、楊富華
黨委副書記、紀委書記	馮仁國

歷任領導

任期	所長	黨委書記
1962—1977年	劉再生	劉再生、陳致中、宋 、政、劉大明
1977—1983年	黃昆	張方海、馮文耀
1983—1985年	王守覺	李維學
1985—1994年	王啟明	李維學
1994—1999年	鄭厚植	李維學
1999—2002年	鄭厚植	賈航
2002—2011年	李晉閩	陳樹堂
2012—2014年6月	李樹深	李樹深
2014年7月—	李樹深	張春先