李效民，男，1960年生。現任中科院上海矽酸鹽研究所研究員，博士生導師。現任上海矽酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結構國家重點實驗室“功能薄膜材料物理性能及套用研究”課題組組長。主要從事矽基信息功能薄膜集成系統、新型氧化物功能薄膜材料及低維半導體納米材料方面的研究。
基本介紹
- 中文名：李效民
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 出生日期：1960
- 職業：碩士生導師
- 畢業院校：東北大學
- 性別：男
簡介,主要研究經歷,在研項目,
簡介
1982年畢業於東北大學。
1982至1988年在鋼鐵研究總院難熔金屬研究室工作。
1988年作為國家教委公派留學生赴日本留學，
1991獲日本山形大學工學研究科套用化學專業工學碩士學位，
1994年獲日本大阪大學理學研究科無機物理化學專業理學博士學位。
1994至2001年在日本村田製作所任高級研究員。
2002年 3月獲中國科學院“百人計畫”基金。
主要研究經歷
1.博士期間（1991-1994）：
48號
① 人工晶體的分子束外延生長(Epitaxy)的物理化學過程及結晶生長機制。
② 分子束外延人工晶體的物理特性，特別是超導特性及異常反磁性。
③ 人工晶體的微量元素添加方法及微量元素對人工晶體物理性質的影響。
④ 設計出了Ba-Ca-Cu-O系新型人工晶體結構，並套用以上方法制出了該新型人工晶體薄膜。對該人工晶體進行了晶體結構分析及超導電性測試，證明其與設計的晶體結構相一致，並得到了預期的超導電性。
2. 日本公司工作期間（1994-2001）：
① 介電體材料（TiO2、SrTiO3）、鐵電體材料(PbTiO3、Pb(Zr,Ti)O3)的CVD（化學氣相沉積）合成法及等離子CVD合成法的研究。
② 雷射熔射薄膜生長裝置的設計。
③ 各種單晶薄膜、多晶薄膜（TiN 、TiN-AlN、MgO、Pt、Ir）的雷射分子束外延生長方法及其性能的研究。
④ 各種單晶薄膜、多晶薄膜（TiN 、MgO、Pt）的離子束濺射生長方法及其性能的研究。
⑤ Pb(Zr,Ti)O3鐵電體薄膜的晶體生長方法、生長方向的控制及其鐵電性、熱釋電性及壓電性的研究。
⑥ 單晶矽底板上鐵電薄膜的合成及微型電子元器件（鐵電體不揮發性存儲器、微型熱釋電敏感器、微型壓電麥克風、微型電子開關）的研究開發。 3362 3039
在研項目
2002～2005 “高性能陶瓷薄膜材料的結晶過程及其套用” 中科院“百人計畫”項目
2002～2007 “集成信息功能陶瓷系統的基礎問題研究” 國家重點基礎研究發展規劃（973）項目
2004～2006 “單晶氧化鋅納米線的摻雜及其相關物理特性研究” 國家自然科學基金項目
2004～2007 “納米和梯度熱電材料與太陽能光電、熱電、風力發電系統” 自然科學基金重大國際合作項目
2002～2004 “新型藍紫光發光器件用ZnO薄膜的研製” 上海市科技發展基金項目
2004～2005 “氧化鋅基材料摻雜機理、光學性能及熱電性能的研究” 上海矽酸鹽研究所創新項目
