本徵吸收

本徵吸收是指在價帶和導帶之間電子的躍遷產生與自由原子的線吸收譜相當的晶體吸收譜，它決定著半導體的光學性質.本徵吸收最明顯的特點是具有基本的吸收邊（吸收係數陡峭增大的波長），也是半導體以及絕緣體光譜與金屬光譜的主要不同之處，它標誌著低能透明區與高能強吸收區之間的邊界。基本吸收邊由能量帶隙（晶體的導帶底和價帶頂的能量差－禁頻寬度）決定.

基本介紹

• 中文名：本徵吸收
• 外文名：intrinsic absorption

定義：當光入射到半導體表面時，原子外層價電子吸收足夠的光子能量，越過禁帶，進入導帶，成為可以自由移動的自由電子。同時，在價帶中留下一個自由空穴，產生電子—空穴對的現象稱為本徵吸收。

產生條件：入射光的能量必須大於半導體的禁頻寬度，這樣才能使價帶上的電子吸收足夠的能量躍遷到導帶低能級之上，即。即可以發生本徵吸收的的光波波長小於等於

理想半導體在絕對零度時，價帶是完全被電子占滿的，因此價帶內的電子不可能被激發到更高的能級。唯一可能的是吸收足夠能量的光子使電子激發，越過禁帶躍遷入空的導帶，而在價帶留下一個空穴，形成電子-空穴對。這種由於電子由帶與帶之間的躍遷所形成的吸收過程稱為本徵吸收。

要發生本徵吸收，光子能量必須等於或大于禁頻寬度Eg 。