晶體缺陷結構

晶體缺陷結構

主要根據作者多年使用的教材改編而成。共分12章,其中主要講述了晶體的空間格子構造、對稱特性及晶類、晶系的劃分方法、晶體的一些典型結構、與晶向晶面相關的知識、晶體的投影方法、標準投影、倒點陣的定義及套用;介紹了單質元素和離子晶體的一些典型結構和規律性因素、晶體缺陷以及它們的形成原因和觀測方法、晶體取向測定的方法及套用、人工晶體的一些生長方法等;可以作為材料科學與工程、物理學、化學等教育部一級學科的相關專業的教材,也可供從事半導體、金屬、陶瓷、晶體材料與器件等方面工作的科技工作者參考。

基本介紹

  • 書名:晶體缺陷結構
  • ISBN:9787508476308
  • 頁數:202頁
  • 出版社:中國水利水電出版社
  • 出版時間:2010年5月1日
  • 開本: 16
基本信息,編輯推薦,作者簡介,目錄,

基本信息

出版社: 中國水利水電出版社; 第1版 (2010年5月1日)
平裝: 202頁
正文語種: 簡體中文
開本: 16
ISBN: 9787508476308
條形碼: 9787508476308
商品尺寸: 25.8 x 18.2 x 1 cm
商品重量: 422 g
品牌: 中國水利水電出版社
ASIN: B0040EJ6MK

編輯推薦

中國水利水電出版社出版。

作者簡介

魏光普,男,漢族,1939年生於浙江諸暨。上海大學材料科學與工程學院教授,上海市物理學會副理事長,上海新能源行業協會學術專家委員會主任,上海市太陽能學會光電專業委員會主任,“國際光伏科學與工程會議”國際委員會委員,“國際薄膜物理與套用會議”組織委員會委員,上海市歐美同學會理事、歐美同學會上海大學分會副會長。國務院政府特殊津貼獲得者。
1956年從浙江金華第二中學考入南京大學,1961年從南京大學物理系畢業後,在上海科學技術大學(現上海大學)材料系從事X射線晶體學及材料科學方面的教學與科研工作。1984年至1986年,受國家教委(現教育部)派遣,赴日、本大阪大學進行訪問研究,從事高效率非晶矽太陽電池及光敏器件的研究工作,發明了非晶矽X射線探測器,獲日本專利二項,以後獲工學博士學位。1992年晉升為教授,1995年任日本神戶大學客員教授。
近十餘年來,在國內外重要刊物上發表論文70餘篇,獲得專利十餘項,並獲得委、市、部級獎勵四項:
①“非晶矽器件的X射線照射效應及其套用”獲得1992年國家教委科技進步獎;
②“氧化鋯增韌陶瓷(連續鑄造)分離環”獲得1992年上海市科技進步獎;
③“無機非金屬材料測試方法”獲得1997年的國家建材部科技進步獎[著作(合作)獎];
④“太陽電池光電參數測試儀”獲得1999年上海市科技進步獎。
姜傳海,男,1963年9月生,漢族,上海交通大學材料科學與工程學院,研究員,博士生導師。
1983年7月畢業於蘭州大學物理系,2000年1月獲哈爾濱工業大學材料科學與工程博士學位,2001年12月於上海交通大學材料科學與工程博士後出站,並留校工作至今,2007年法國國立高等工程技術學院(ENSAM)微結構實驗室高級訪問學者。多年從事晶體X射線衍射、殘餘應力分析與組織結構表征等領域的教學與科研工作。

目錄

前言
第1章 晶體的內部構造
1.1 晶體和非晶體
1.2 晶體的格子構造
第2章 晶體的對稱性及晶體的分類
2.1 晶體的對稱性
2.2 對稱型、晶類與晶系
2.3 晶胞的選取與14種空間格子
第3章 幾種典型的晶體結構
3.1 單質(元素)的典型結構
3.2 化合物的典型結構
3.3 晶體的鍵合
第4章 晶向、晶面及一些有關問題
4.1 晶向指數與晶面指數
4.2 密排面與密排方向
4.3 晶面間距
4.4 晶體的解理與解理面
4.5 晶面及晶向之間的夾角
4.6 雙晶與雙晶面
第5章 晶體的投影
5.1 球面投影
5.2 極射赤面投影
5.3 吳氏網及其套用
5.4 晶體的標準投影
第6章 倒點陣
6.1 倒點陣(倒格子)
6.2 晶面間距和晶面夾角的計算
6.3 晶帶
第7章 元素的結構
7.1 球的密堆積和金屬單質的結構
7.2 合金的結構和性質
7.3 非金屬元素單質的晶體結構
7.4 單質晶體結構的過渡
7.5 矽、鍺半導體單晶
第8章 離子晶體結構通論
8.1 離子半徑
8.2 配位數與配位多面體
8.3 離子晶體的結構規則
8.4 同質多像(同素異構體)
8.5 離子極化
8.6 二元化合物晶體的結構
8.7 多元化合物晶體的結構
8.8 矽酸鹽及其它礦物
第9章 晶體缺陷
9.1 點缺陷
9.2 線缺陷
9.3 面缺陷
9.4 位錯的運動
9.5 晶體缺陷的觀察方法
9.6 腐蝕法測量位錯密度
第10章 晶體取向的測定
10.1 X射線衍射定向法
10.2 晶體的雷射定向
10.3 腐蝕坑法測定晶體取向
第11章 晶體生長方法概論
11.1 晶體生長的理論基礎
11.2 雜質的添加與分凝
11.3 晶體生長方法
第12章 晶體材料的分析測試
12.1 成分分析
12.2 物相分析
12.3 形貌分析(斷口分析)
12.4 晶體結構分析
12.5 晶粒度測定
12.6 應力應變測定
12.7 結晶度測定
12.8 缺陷分析
12.9 痕量分析
12.10 均勻性測試
附錄A 點群和空間群的符號系統
附錄B 230個空間群表
附錄C 元素的物理性質
附錄D 若干常見化合物的晶體結構
練習思考題
參考文獻

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