《晶體生長手冊5:晶體生長模型及缺陷表征(影印版)》介紹了生長工藝和缺陷形成的模型。這些章節驗證了工藝參數和產生晶體質量問題包括缺陷形成的直接相互作用關係。隨後的PartG展示了結晶材料特性和分析的發展。PartF和G說明了預測工具和分析技術在幫助高質量的大尺寸晶體生長工藝的設計和控制方面是非常好用的。
基本介紹
- 書名：晶體生長手冊5:晶體生長模型及缺陷表征
- 作者：德哈納拉 (Govindhan Dhanaraj) 等
- 出版社：哈爾濱工業大學出版社
- 頁數：367頁
- 開本：16
- 品牌：哈爾濱工業大學出版社
- 外文名：Springer Handbook of Crystal Growth
- 類型：科學與自然
- 出版日期：2013年1月1日
- 語種：簡體中文, 英語
- ISBN：9787560338705
基本介紹,內容簡介,作者簡介,圖書目錄,
基本介紹
內容簡介
《晶體生長手冊5:晶體生長模型及缺陷表征(影印版)》由哈爾濱工業大學出版社出版。
作者簡介
作者：（美國）德哈納拉（Govindhan Dhanaraj）
圖書目錄
縮略語
Part F晶體生長及缺陷模型
36熔體生長晶體體材料的傳導和控制
36.1運輸過程的物理定律
36.2熔體的流動結構
36.3外力對流動的控制
36.4前景
參考文獻
37Ⅲ族氮化物的氣相生長
37.1Ⅲ族氮化物的氣相生長概述
37.2 A1N/GaN氣相澱積的數學模型
37.3氣相澱積AlN/GaN的表征
37.4 GaN的IVPE生長模型——個案研究
37.5氣相GaN/AIN膜生長的表面形成
37.6結語
參考文獻
38生長直拉矽晶體中連續尺寸量子缺陷動力學
38.1微缺陷的發現
38.2無雜質時的缺陷動力學
38.3有氧時的直拉缺陷動力學
38.4有氮時的直拉缺陷動力學
38.5直拉矽單晶中空位的橫向合併
38.6結論
參考文獻
39熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型
39.1綜述
39.2晶體生長過程
39.3半導體材料的位錯分布
39.4位錯產生的模型
39.5晶體的金剛石結構
39.6半導體的變形特性
39.7 Haasen模型對晶體生長的套用
39.8替代模式
39.9模型概述和數值實現
39.10數值結果
39.11總結
參考文獻
40 BS和EFG系統中的質量和熱量傳輸
40.1雜質分布的基預測模型——垂直BS系統
40.2雜質分布的基預測模型——EFG系統
參考文獻
Part G缺陷表征及技術
41晶體層結構的X射線衍射表征
41.1 X射線衍射
41.2層結構的基本直接X射線衍射分析
41.3設備和理論思考
41.4從低到高的複雜性分析實例
41.5快速分析
41.6薄膜微映射
41.7展望
參考文獻
42晶體缺陷表征的X射線形貌技術
42.1 X射線形貌的基本原則
42.2 X射線形貌技術的發展歷史
42.3 X射線形貌技術和幾何學
42.4 X射線形貌技術理論背景
42.5 X射線形貌上缺陷的對比原理
42.6 X射線形貌上的缺陷分析
42.7目前的套用狀況和發展
參考文獻
43半導體的缺陷選擇性刻蝕
43.1半導體的濕法刻蝕：機制
43.2半導體的濕法刻蝕：結構和缺陷選擇性
43.3缺陷選擇性刻蝕方法
參考文獻
44晶體的透射電子顯微鏡表征
44.1缺陷的TEM表征的理論基礎
44.2半導體系統TEM套用的典型實例
44.3結語：目前的套用狀況和發展
參考文獻
45點缺陷的電子自旋共振表征
45.1電子自旋共振
45.2 EPR分析
45.3 ERP技術範圍
45.4輔助儀器和支持技術
45.5總結與最終思考
參考文獻
46半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征
46.1正電子湮沒光譜
46.2點缺陷的識別及其電荷狀態
46.3缺陷、摻雜和電子補償
46.4點缺陷和生長條件
46.5總結
參考文獻
Part F晶體生長及缺陷模型
36熔體生長晶體體材料的傳導和控制
36.1運輸過程的物理定律
36.2熔體的流動結構
36.3外力對流動的控制
36.4前景
參考文獻
37Ⅲ族氮化物的氣相生長
37.1Ⅲ族氮化物的氣相生長概述
37.2 A1N/GaN氣相澱積的數學模型
37.3氣相澱積AlN/GaN的表征
37.4 GaN的IVPE生長模型——個案研究
37.5氣相GaN/AIN膜生長的表面形成
37.6結語
參考文獻
38生長直拉矽晶體中連續尺寸量子缺陷動力學
38.1微缺陷的發現
38.2無雜質時的缺陷動力學
38.3有氧時的直拉缺陷動力學
38.4有氮時的直拉缺陷動力學
38.5直拉矽單晶中空位的橫向合併
38.6結論
參考文獻
39熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型
39.1綜述
39.2晶體生長過程
39.3半導體材料的位錯分布
39.4位錯產生的模型
39.5晶體的金剛石結構
39.6半導體的變形特性
39.7 Haasen模型對晶體生長的套用
39.8替代模式
39.9模型概述和數值實現
39.10數值結果
39.11總結
參考文獻
40 BS和EFG系統中的質量和熱量傳輸
40.1雜質分布的基預測模型——垂直BS系統
40.2雜質分布的基預測模型——EFG系統
參考文獻
Part G缺陷表征及技術
41晶體層結構的X射線衍射表征
41.1 X射線衍射
41.2層結構的基本直接X射線衍射分析
41.3設備和理論思考
41.4從低到高的複雜性分析實例
41.5快速分析
41.6薄膜微映射
41.7展望
參考文獻
42晶體缺陷表征的X射線形貌技術
42.1 X射線形貌的基本原則
42.2 X射線形貌技術的發展歷史
42.3 X射線形貌技術和幾何學
42.4 X射線形貌技術理論背景
42.5 X射線形貌上缺陷的對比原理
42.6 X射線形貌上的缺陷分析
42.7目前的套用狀況和發展
參考文獻
43半導體的缺陷選擇性刻蝕
43.1半導體的濕法刻蝕：機制
43.2半導體的濕法刻蝕：結構和缺陷選擇性
43.3缺陷選擇性刻蝕方法
參考文獻
44晶體的透射電子顯微鏡表征
44.1缺陷的TEM表征的理論基礎
44.2半導體系統TEM套用的典型實例
44.3結語：目前的套用狀況和發展
參考文獻
45點缺陷的電子自旋共振表征
45.1電子自旋共振
45.2 EPR分析
45.3 ERP技術範圍
45.4輔助儀器和支持技術
45.5總結與最終思考
參考文獻
46半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征
46.1正電子湮沒光譜
46.2點缺陷的識別及其電荷狀態
46.3缺陷、摻雜和電子補償
46.4點缺陷和生長條件
46.5總結
參考文獻
