晶格失配度,描述襯底與外延膜晶格匹配程度的參量。晶格失配影響晶體的外延生長,會在外延層中產生大量缺陷,甚至無法生長單晶,影響器件的性能和壽命。
基本介紹
- 中文名:晶格失配度
- 定義:描述襯底與外延膜晶格匹配程度的參量
晶格失配度,描述襯底與外延膜晶格匹配程度的參量。晶格失配影響晶體的外延生長,會在外延層中產生大量缺陷,甚至無法生長單晶,影響器件的性能和壽命。
晶格失配度 晶格失配度,描述襯底與外延膜晶格匹配程度的參量。晶格失配影響晶體的外延生長,會在外延層中產生大量缺陷,甚至無法生長單晶,影響器件的性能和壽命。
應變矽鍺合金是外延層受到雙軸應力作用的矽鍺合金。矽和鍺的晶格失配度為4.18%。如在矽襯底上外延生長Si1-xGex薄層時,由於Si1-xGex的晶格常數比矽的晶胞參數大,故在平行於襯底平面的x和y兩個方向上,外延層都會受到壓縮應力的作用,同時,在垂直於襯底平面的z方向上,外延層會受到拉伸應力的作用。無論哪種...
兩者晶體結構相同、晶格失配度非常小,禁頻寬度接近(能帶不連續值小,接觸勢壘小)。但是,ZnO作為GaN外延襯底的致命的弱點是在GaN外延生長的溫度和氣氛中容易分解和被腐蝕。目前,ZnO半導體材料尚不能用來製造光電子器件或高溫電子器件,主要是材料品質達不到器件水準和P型摻雜問題沒有真正解決,適合ZnO基半導體材料生長...
Hg1-xCdxTe材料在長波波段與襯底晶格失配度較大、位錯密度較高,嚴重影響紅外焦平面列陣性能。本項目提出採用結合液相外延(LPE)、熱壁外延(HWE)、等溫汽相沉積(ISOVPE)技術特點的分子雲外延(MCE),在InAs/Si(211)複合襯底表面製備Hg1-xCdxSe薄膜,Hg1-xCdxSe材料在長波波段與複合襯底晶格失配度較小、位錯密度...
2.3.2 晶格失配度 2.4 半導體固溶體 2.5 重要的半導體固溶體 2.5.1 Alx-a1-xAs 2.5.2 -axIn1-xPyAs1-y 2.5.3 (Alx-a1-x)yIn1-yP 2.5.4 GexSi1-x 2.6 半導體光子材料的折射率 2.7 結束語 參考文獻 第3章 半導體異質結構 3.1 引言 3.2 半導體異質結概念 3.3 能帶的形成 3.4 ...
不同的生長模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小確定的。(1)若失配度較小且外延層表面能和界面能之和小於襯底的表面能,則外延生長為層狀的FM模式;(2)若失配度較大且外延層的表面能與界面能之和大於襯底的表面能,則外延生長為島狀的VW模式;(3)當外延層的表面能與界面能之和,在開始時小於...
氧化鋅晶體,化學式ZnO。屬六方纖鋅礦結構。晶胞參數a=0.3253納米,c=0.5207納米。是一種重要的多功能晶體材料。熔點高,易揮發,極性結晶,較難生長。具有半導體、發光、壓電、電光、閃爍等性能,可用作紫外發光材料、移動通信基片材料和超快閃爍材料。且因氧化鋅與氮化鎵的晶格失配度特別小,還是氮化鎵外延生長最...
不同的襯底及晶格失配對晶體生長有一定的約束作用。以KT晶體為籽晶,採用溶液法,我們成功地製備了具有特定方向的層狀結構KDP/KT異質結複合晶體。利用透射電子顯微鏡首次確定了KDP/KT複合晶體的結構,從晶體結構分析可知,KT和KDP兩種晶體的失配度高達30.15%,導致摻雜生長模式,KT晶體摻雜到了KDP晶體中,同時發現KDP...
由於兩者同為立方晶系,通過適當的生長和緩衝層技術可形成外延異質結構,其界面性質主要由各自的表面取向、極化特性與晶格常數失配等因素決定,這類種結構在光電套用方面具有重要意義。本課題以GaAs和ABO3鐵電材料所構成的異質結為研究對象,研究內容有三點:一、異質結的界面應力,通過適當的緩衝層,選擇不同晶格失配度...
通過調控前驅膠體、基片-薄膜晶格失配度、Ba位稀土元素及Sn位4d金屬元素摻雜,獲得具有高室溫電導率及可見光透過率的BaSnO3基薄膜。揭示影響BaSnO3基薄膜光電性能的主要因素,構建薄膜生長機理-微結構-光電性能之間的關聯,從而為BaSnO3基薄膜的光電性能最佳化提供相關實驗和理論依據。結題摘要 透明導電氧化物薄膜因兼具高...
研究表明(111)面MgAl2O4晶體與InN晶格的失配率為15%,晶格匹配性能要大大優於藍寶石,(0001)面藍寶石與InN晶格的失配率高達25%。而且,如果位於頂層氧原子層下面的鎂原子占據有效的配位晶格位置,以及氧格位,那么這樣可以有希望將晶格失配率進一步降低至7%,這個數字要遠遠低於藍寶石。所以MgAl2O4晶體是很有發展潛力...
本項目擬選用CoPt合金作為磁性記錄層材料,通過研製新型fcc襯底材料,用不同元素和/或化合物的摻雜來精確控制襯底、中間層以及記錄層的晶格失配度,掌握減少堆垛層錯的技術,從而獲得高垂直各向異性;同時通過中間層材料選擇和介質設計提高寫入場梯度,並藉助新型襯底和中間層的結晶生長誘導降低垂直取向分散,獲得具有...
本項目擬以β-Ga2O3薄膜界面微結構和遷移率調控作為研究目標,主要研究內容包括以下三個部分:1、雷射分子束外延法製備高質量β-Ga2O3外延薄膜,研究工藝參數對薄膜生長的影響規律;2、選擇不同晶格失配度的體系,研究界面微結構對外延取向,晶格應變和遷移率的調控規律;3、利用第一性原理,研究β-Ga2O3的物理性能...
《升華法生長氮化鋁單晶》是依託山東大學,由胡小波擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 AlN單晶的熱導率大,晶格與GaN失配度小,是大功率GaN器件的理想襯底。利用AlN單晶為襯底材料有利於提高GaN器件的性能。.本研究擬採用升華法,通過自發成核獲得AlN籽晶。在此基礎上,研究生長過程中生長參數如:籽晶溫度、生長...
1,結構特性好,晶圓材料與襯底的晶體結構相同或相近,晶格常數失配度小,結晶性能好, 缺陷密度小.2,介面特性好,有利於晶圓料成核且黏附性強.3,化學穩定性好,在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕.4,熱學性能好,包括導熱性好和熱失配度小.5,導電性好,能製成上下結構.6,光學性能好,製作的器件所發出的光...