《升華法生長氮化鋁單晶》是依託山東大學，由胡小波擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：升華法生長氮化鋁單晶
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：胡小波
- 依託單位：山東大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50472068
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：E0201
- 支持經費：24（萬元）
中文摘要
AlN單晶的熱導率大，晶格與GaN失配度小，是大功率GaN器件的理想襯底。利用AlN單晶為襯底材料有利於提高GaN器件的性能。.本研究擬採用升華法，通過自發成核獲得AlN籽晶。在此基礎上，研究生長過程中生長參數如：籽晶溫度、生長室壓力、籽晶- - 源溫度梯度對AlN晶體生長速度的影響；研究不同坩堝材料對AlN單晶純度和結晶質量的影響；採用光學顯微術、掃描電鏡、AFM、高分辨X射線衍射術結契約步輻射形貌術評價AlN單晶的結構完整性，研究AlN單晶中的缺陷如：小角晶界、孿晶、位錯的形成機理，以及它們之間的相互作用、產生和湮沒規律。以此為基礎，最佳化生長工藝，最終獲得尺寸大於10mm,具有高結構完整性的AlN單晶。並完成AlN單晶的加工工作。
