於麗娟，副研究員。1986年和1989年在吉林大學物理系獲學士和碩士學位，2000年在西安交通大學電子工程系獲博士學位。2000年至今在中科院半導體所從事半導體光電材料及相關器件的研究，曾參加高性能半導體光放大器規模化生產技術項目，研製出纖-纖增益大於15dB的半導體光放大器。在對半導體材料的直接鍵合的研究過程中，已獲得了III-V半導體材料與矽鍵合的視窗溫度，並利用鍵合的方法在矽基上實現了1.55μm InGaAsP/InP雷射器的室溫連續激射。2006年在英國帝國理工大學做訪問學者，主要從事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱調製器的研究。目前，一直從事半導體光電器件的研究，已在國內外學術刊物及國際學術會議上發表30多篇學術論文和兩個專利。
基本介紹
- 中文名：於麗娟
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 職業：副研究員
- 性別：女
- 政治面貌：民眾
人物簡介,研究領域,
人物簡介
於麗娟，副研究員。1986年和1989年在吉林大學物理系獲學士和碩士學位，2000年在西安交通大學電子工程系獲博士學位。2000年至今在中科院半導體所從事半導體光電材料及相關器件的研究，曾參加高性能半導體光放大器規模化生產技術項目，研製出纖-纖增益大於15dB的半導體光放大器。在對半導體材料的直接鍵合的研究過程中，已獲得了III-V半導體材料與矽鍵合的視窗溫度，並利用鍵合的方法在矽基上實現了1.55μm InGaAsP/InP雷射器的室溫連續激射。2006年在英國帝國理工大學做訪問學者，主要從事Ge/Si DBR陳城欣材料特性及Ge/Si量子阱調製器的研究。目前，一直從事半導體光電器件的研究，已在國內外學術刊物及國際學術會議上發表30多篇學術論文和兩個專利。
研究領域
半導體光電器件
