張廣宇(中國科學院物理所研究員)

張廣宇，男，1977年生，博士生導師。1999年在山東大學物理系本科畢業，2004年中科院物理研究所獲博士學位。曾先後在德國Fraunhofer表面技術與工程研究所做訪問學者（2002-2003），美國Stanford大學做博士後研究（2004-2008）。2008年入選中科院“百人計畫”，現任中科院物理所研究員。

基本介紹

• 中文名：張廣宇
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 出生日期：1977年

簡 歷

主要研究方向： 納米器件及其物理。

主要包括：

1. 低維納米結構的可控生長、組裝、表面修飾及其電/光學性質研究

2. 以低維納米結構為模板的10納米以下尺度的微加工工藝研究

3. 納米能源和信息器件及其相關物理問題的研究

過去的主要工作及獲得的成果

自2001年起主要從事碳納米材料的合成、組裝、物性與器件研究。主要結果有：

1. 實驗上第一次合成了石墨納米錐結構和納米螺旋纖維

2. 發展了一種電漿輔助的化學氣相生長技術來生長高質量、定向、大面積的單壁碳納米管陣列

3. 深入研究了單壁碳納米管表面的原子氫的化學吸附/脫附行為及導致的金屬-半導體轉變

4. 利用電漿刻蝕手段實現了金屬性單壁碳納米管的選擇性刻蝕，成功製備出純半導體納米管大功率場效應管器件

發表及合作發表論文20餘篇，他人引用次數超過500次。其中第一作者文章10篇，包括Science 2篇, PNAS 1篇, JACS 1篇，等等。

近期5篇代表性工作：

1. G. Y. Zhang, X. Jiang & E. G. Wang, Tubular Graphite cones, Science 300, 472 (2003)

2. G. Y. Zhang, D. Mann, L. Zhang, A. Javey, Y. M. Li, E. Yenilmez, Q. Wang, J. P. McVittie, Y. Nishi, J. Gibbons & H. Dai, Ultra-high-yield growth of vertical single-walled carbon nanotubes: Hidden roles of hydrogen and oxygen, PNAS 102, 16141 (2005).

3. G. Y. Zhang, P. F. Qi, X. R. Wang, Y. R. Lu, D. Mann, X. L. Li & H. Dai, Hydrogenation, Hydrocarbonation and etching of single walled carbon nanotubes, JACS 128, 6026 (2006).

4. G. Y. Zhang, P. F. Qi, X. R. Wang, Y. R. Lu, X. L. Li, R. Tu, S. Bangsaruntip, D. Mann, L. Zhang & H. Dai, Selectively Etching of Metallic Carbon Nanotubes by Gas-phase Reaction, Science 314, 974 (2006).

5. X. L. Li, G. Y. Zhang, X.D. Bai, X. M. Sun, X. R. Wang, E. G. Wang and H. Dai, Highly Conducting Graphene Sheets and Langmuir-Blodgett Films, Nature Nanotechnology 3, 538 (2008)

目前的研究課題及展望： 目前承擔的課題有：中科院“百人計畫”資助課題、物理所人才啟動計畫資助課題、“全國百篇優秀博士畢業論文”資助課題等。