多晶半導體是指由大量取向不同的小的單品半導體顆粒構成的薄膜或體半導體材料。大多數半導體器件都是用單晶半導體材料製作。多晶半導體可用於製作太陽能電池、液晶顯示器的薄膜電晶體開關矩陣及MOS電晶體的柵極材料等。
中文名稱 | 多晶半導體 |
英文名稱 | polycrystalline semiconductor |
定 義 | 結晶學方向不同的單晶體組成的半導體。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
多晶半導體是指由大量取向不同的小的單品半導體顆粒構成的薄膜或體半導體材料。大多數半導體器件都是用單晶半導體材料製作。多晶半導體可用於製作太陽能電池、液晶顯示器的薄膜電晶體開關矩陣及MOS電晶體的柵極材料等。
中文名稱 | 多晶半導體 |
英文名稱 | polycrystalline semiconductor |
定 義 | 結晶學方向不同的單晶體組成的半導體。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
多晶半導體是指由大量取向不同的小的單品半導體顆粒構成的薄膜或體半導體材料。大多數半導體器件都是用單晶半導體材料製作。多晶半導體可用於製作太陽能電池、液晶顯示...
隨著製備半導體薄膜的技術不同,在結構上可分為單晶,多晶和無定形薄膜。同質或異質外延生長的Si ,GaAs半導體薄膜是構成大規模積體電路的極重要材料。多晶半導體薄膜...
《半導體晶片製造技術》全面系統地介紹了半導體晶片製造技術,內容包括半導體晶片製造概述、多晶半導體的製備、單晶半導體的製備、晶圓製備、薄膜製備、金屬有機物化學氣相...
接觸粒界勢壘理論則依據多晶半導體能帶模型,在多晶界面存在勢壘,當界面存在氧化性氣體時勢壘增加,存在還原性氣體時勢壘降低,從而導致阻值變化。...
熱敏材料一般可分為半導體類、金屬類和合金類三類,現分別簡述如下 [1] 。半導體熱敏電阻材料這類材料有單晶半導體、多晶半導體、玻璃半導體、有機半導體以及金屬氧化...
3.4 半導體薄膜的性質3.4.1 單晶半導體薄膜的性質3.4.2 多晶半導體薄膜的性質3.4.3 非晶半導體薄膜的性質3.4.4 氧化物半導體薄膜的性質...
接觸粒界勢壘理論則依據多晶半導體能帶模型,在多晶界面存在勢壘,當界面存在氧化性氣體時勢壘增加,存在還原性氣體時勢壘降低,從而導致阻值變化。...
⑥開發新型光電化學電池(PEC),由模擬天然光合作用而製成,用一個多晶半導體光電極、一個對電極和一種電解質溶液所構成,不僅能發電,還能生產化學物質。 [1] ...
低溫熱敏電阻的感溫元件是用兩種以上的過渡金屬氧化物Mn、Ni、Cu、Fe、Co等在1000-1300℃高溫燒結而成的多晶半導體,當溫度變化時,其電阻值急驟變化。這種溫度...
接觸粒界勢壘理論則依據多晶半導體能帶模型,在多晶界面存在勢壘,當界面存在氧化性氣體時勢壘增加,存在還原性氣體時勢壘降低,從而導致阻值變化。...
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只有壓敏電阻片的新型避雷器,壓敏電阻片是由氧化鋅等金屬氧化物燒結而成的多晶半導體陶瓷元件,具有理想的閥特性。同時具有非線性係數小、保護特性好、能量吸收能力強...
德等稀土氧化物。(4)臨界負溫熱敏半導體材料(簡稱C',.T.R- ),如二氧化釩(VUz)為基的多晶半導體材料,在68}:附近,電阻值在狹小溫區內隨溫度增加而降低3}-...