堆垛層序

堆垛層錯就是指正常堆垛順序中引入不正常順序堆垛的原子面而產生的一類面缺陷，是晶體中的一類巨觀缺陷。主要出現在用外延方法生長的晶體中。

基本介紹

• 中文名：堆垛層錯
• 外文名：stacking fault
• 相關領域：冶金工程
• 所屬類型：專業術語

堆垛層錯詳解

在晶體點陣中，密排原子面規則堆垛次序發生差錯引起的一種晶體二維缺陷，簡稱層錯。以面心立方點陣為例，密排面{111}的規則堆垛次序為ABCABCABC…；李晶界面兩邊堆垛次序為 ABCABC/BACBA…；Schokley分位錯掃過區域:：ABCABC/ BCABC…；正 Frank分位錯所圍區域 ABCABC /B/ABC…；負Frank分位錯所圍區域 ABCA/CABC…等。其中標有“/”的位置原子面堆垛次序發生差錯，即產生堆垛層錯。堆垛層錯的邊界線為一分位錯。層錯不引起點陣畸變，但由於局部破壞了晶體的正常周期排列，引入層錯能，使晶體的能量升高。

堆垛層錯形成的幾種新結構

（1）外層錯：插入一密排面形成 ABCAB（A）CABC…。

（2）內層錯：抽去一密排面，形成 ABCABCBCABC…。

（3）孿生：堆垛具有鏡面對稱性（對稱密排），形成 ABCABCABCACBACBA…。

相關概念

面缺陷

面缺陷是晶體中有一些面的晶格周期性被破壞的擴展性缺陷。主要有堆垛層錯，孿晶和晶粒間界三類。

孿晶界面

孿晶是一對連生的晶塊。兩晶塊以特定的取向相交接形成的界面，稱為李晶界面。在鐵電晶體中，兩部分晶體的極化方向不同，即有不同極化取向的電疇，孿晶界面就是鐵電疇界。

晶粒間界

大多數材料是由許多取向不同的晶粒組成的，晶粒之間的界面稱為晶界，它包含有幾個原子間距的薄層，結構複雜。晶粒取向角差超過15°的是大角品界，其中原子排列很複雜，精確、定量描述很困難。伯格斯對小角品粒間界提出一種簡單模型：由一系列刃型位錯組成的界面。