基本介紹
- 中文名:吸收邊
- 外文名:absorption edges
- 套用學科:光學分析
- 含義:X射線吸收中吸收係數的突變
- 套用理論:X射線吸收近邊結構理論
- 套用範圍:x射線吸收光譜
吸收邊介紹
計算方法
結構理論
量子力學證明,描述各元素X射線標識譜規律的莫塞萊定律只是一種近似的規律。但它曾對確定原子序數,預言當時還未發現的元素,研究等電子離子序列光譜和原子結構都有過重要作用。
吸收邊是指激發樣品中的元素、產生螢光X射線所需的最小能量。...... 在X射線吸收譜中,吸收邊之上60eV以內的低能區的譜出現強的吸收特性,稱之為近邊吸收結構(...
物質的X射線吸收譜中從吸收閾值處的吸收邊到吸收邊以上約50eV之間的譜結構。是研究物質的局域結構和局域電子特性的有力手段。 套用學科 材料科學技術(一級學科),...
本徵吸收是指在價帶和導帶之間電子的躍遷產生與自由原子的線吸收譜相當的晶體吸收譜,它決定著半導體的光學性質.本徵吸收最明顯的特點是具有基本的吸收邊(吸收係數...
一般在X射線吸收截面曲線的某些能量位置上出現吸收跳躍,稱之為吸收突躍,或稱吸收邊,對應於某個殼層的電子電離能的位置。但在數據分析過程中,對吸收突躍的定義並不...
擴展X射線吸收精細結構,是指元素的X射線吸收係數在吸收邊高能側30~1000電子伏之間的振盪;由吸收了X光的原子與鄰近配位原子相互作用產生,並將傅立葉交換用到擴展X...
光吸收是光(電磁輻射)通過材料時,與材料發生相互作用,電磁輻射能量被部分地轉化為其他能量形式的物理過程。當被吸收的光能量以熱能的形式被釋放,即形成了光熱轉化;...
X射線通過物體後,其強度會衰減,X射線被吸收。...... 其中一個X射線的能量(E1)略低於碘的K吸收邊-吸收係數小;另一能量(E2)略高於K吸收邊-吸收係數大(見圖)...
光學帶隙(optical band gap) 非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。...
X-ray Absorption Fine Structure,即X射線吸收精細結構(XAFS)譜是用於描繪局部結構最強有力的工具之一。在此技術中,我們將X射線能量調整至與所研究的元素中內電子...
法蘭茲-卡爾迪西效應(英語:Franz-Keldysh effect)是指在強電場(一般在百伏電壓)作用下,導致半導體吸收邊形狀的改變,及引起其折射率相應變化的現象。它是德國物理學...
迄今為止的物質結構探測技術一般都是以晶體—長程有序結構的衍射現象為基礎,但XAFS(X-Ray AbsorptionFine Structure,X射線吸收精細結構譜)是例外。...
紅邊位移是指紅光區外葉綠素吸收減少部位(<0.7um )到近紅外高反射肩(>0.7um)之間,健康植物的光諧回響陡然增加(亮度增加約10倍)的這一窄條帶區。研究發現,...
在量子阱結構中,在內建極化電場的作用下,半導體的能帶發生傾斜,電子-空穴對發生空間分離、波函式交疊量減少,引起發光效率下降、發光峰(吸收邊)紅移的現象,稱為...
弗朗茲一凱爾迪什效應(英語:Franz-Keldysh effect)是指在強電場(一般在百伏電壓)作用下,導致半導體吸收邊形狀的改變,及引起其折射率相應變化的現象。它是德國物理學...
對波動方程來說,這就要求在人工邊界上不產生人工(非物理)反射。因而這類邊界條件稱為無反射邊界條件或吸收邊界條件;2)所形成的微分方程初邊值問題是適定的。[1...
[1] 本書描述了電磁場有限元方法的最新發展,包括有限元-吸收邊界條件方法、有限...給出了各種二維和三維棱邊有限元方法,其套用使電磁場有限元方法進入了新的時代...
產物的吸收邊均落在可見光區,但隨後進行的可見光催化分解水產O2 的實驗結果表明,只有Ag3VO4 具有良好的可見光催化活性。Hu等用V2O5 和AgNO3 作為起始反應物,先...
當半導體重摻雜時,費米能級進入導帶,本徵光吸收邊向高能方向移動的現象稱為Burstein-Moss效應。通常發生在半導體重摻雜時。...
圖8是直接帶隙半導體砷化鎵的本徵吸收邊和激子譜。強光照射下,本徵吸收在鍺、矽等半導體內產生高濃度的電子和空穴,它們迅速形成激子。在足夠低的溫度下,發現這種...
但是當使用的X射線波長與待測樣品中某一元素的吸收邊靠近時,就不遵從上述定律,也即FHKL≠FHKL。這是由電子的反常散射造成的, 利用這一現象可以解決待測物的...