半導體光檢測器

利用半導體P-N結的內光電效應把光信號轉變為電信號的光器件。

基本介紹

  • 中文名:半導體光檢測器
  • 外文名:semiconductor photodetector
  • 套用學科:光纖通信技術
簡介,原理,

簡介

利用半導體P-N結的內光電效應把光信號轉變為電信號的光器件。光纖通信用的半導體光檢測器有半導體光電二極體(P-N結或PIN)和半導體雪崩光電二極體(APD);光電子集成中也用肖特基勢壘或光電晶體。它們都具有體積小、靈敏度高、回響速度快和噪聲較低等優點。

原理

圖1 光檢測結構及原理圖圖1 光檢測結構及原理圖
最簡單的光電檢測器的結構如圖(1-a)所示,為一P-N結。在P-N結間由於載流子的擴散作用形成寬為W的耗盡層,並產生圖示方向的內建電場。如將P-N結部連線,由於耗盡層內缺乏載流子,外電路中無電流。這時用適當波長的光去照射,則在外電路中產生相應的電流—光生電流。圖(1-b)表示P-N結的能帶圖,在光照射下價帶Ev中的電子吸收光子躍遷到導帶民,在價帶留下了空穴(這種在光作用下產生的載流子叫光生載流子)。它們在耗盡層內在內建電場作用下作漂移運動;在耗盡區外先靠擴散作用進入耗盡層,再做漂移運動,這樣就在外電路中形成反向電流,即光生電流。這種由於光的照射而產生電流的效應叫光電效應。另有在耗盡層中產生的光生載流子才能有效地形成光生電流,因而為提高光電轉換的效率,需使耗盡層加寬。光電二極體加反向偏壓工作,就是為此目的。
PIN光電二極體是在P層和N層之間加了較寬的近於本徵半導體的輕摻雜I層,在反向偏壓作用下,其中載流子被掃清,使其耗盡層大大加寬,因而其光電轉換效率比P-N結光電二極體大為提高。
APD光電二極體,即雪崩光電二極體是有增益的光電器件,其增益由雪崩倍增效應產生。APD管工作時反偏壓很高,光生載流子在耗盡層的高電場區獲得很大的動能,產生雪崩式碰撞,使光電流獲得了雪崩倍增。
特性 ①回響度R和量子效率η:回響度R,表明將光功率轉換為電流的能力,是波長λ的函式:R(λ) ≡I/P,P為輸入的光功率,I為輸出的光電流;量子效率η的含意為平均每個光子所能激發的載流子數,η(λ) ≡,式中e為電子電荷,hγ為入射光子能量。R和η之間的關係為,式中M為APD的倍增因子。對無倍增器件M=l;②光譜回響:是R(λ)隨入射光波長變化的特性,R(λ)降到峰值一半對應的波長,長波側稱長波限(取決於材料的帶隙),短波側稱短波限(取決於吸收係數的陡增);③噪聲等效功率:NEP≡P/(),式中S為有用信號電流,N為噪聲電流,△f為接收機頻寬,④暗電流:無光照時,器件在工作點的電流。它是直流噪聲的主要來源,它包括擴散電流,耗盡層的複合電流,隧道電流及表面漏電流;⑤脈衝回響時間:指對瞬變光信號的回響能力,包括脈衝上升時間τr和脈衝下降時間τf。如果檢測器的回響速度跟不上光信號的變化,輸出的光電流將隨著調製頻率的提高而減小。其它還有伏安特性、溫度特性及退化特性等。
在0.8~0.9μm波段,矽APD已具有接近理想的性能。在1.3~1.55μm波段,使用的三種光檢測器的比較見表所列。這些器件的性能都尚未達到完善的地步。大於1.6μm波段,可使用AlGaSb(鋁鎵銻)/GaSb(鎵銻化物),HgCdTe/CdTe的光檢測器。
1.3μm、1.55μm波段三種光纖通信用光檢測器比較表
圖2  三種光纖通信用光檢測器圖2 三種光纖通信用光檢測器

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