基本介紹
- 中文名：力晶半導體
- 屬性：半導體
- 品牌：力晶
- 成立時間：1994年
歷史沿革,公司概況,企業治理,主營業務,主要產品與技術,智慧財產權,經營狀況,重要事件,
歷史沿革
1994 年 12 月 力晶半導體股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圓廠(8A廠)動土典禮。
1996 年 04 月 8A廠正式啟用。
10 月 8A廠開始量產0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 獲頒 ISO 9002 國際品保系統驗證證書。
1998 年 02 月 8A廠量產 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技類股於櫃買中心掛牌上櫃。
07 月 切入代工服務領域有成，第一家美國代工客戶產品試產成功。
12 月 獲頒 ISO 14001 國際環境管理系統驗證證書。
1999 年 06 月 與世界先進及三菱電機簽訂策略聯盟合作備忘錄，共組聯盟關係。
11 月 發行第一次海外存托憑證，總金額達美金288,900,000元。
2000 年 07 月 舉行第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。
2001 年 05 月 發行第一次公司債(含海外公司債)，總額達美金200,000,000元。
09 月 榮獲經濟部工業局所舉辦的第十二屆「品質優良案例獎」。
2002 年 10 月 通過OHSAS 18001職業安全衛生評估系列驗證。
11 月 第一座十二吋晶圓廠(Fab P1)正式量產。
2003 年 01 月 謝再居博士接任總經理肩負營運重責。
08 月 力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術轉移契約。
10 月 第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圓廠代工業務正式投片。
09 月 力晶員工診所開幕。
2005 年 01 月 獲頒ISO / TS 16949證書。
03 月 P2廠正式啟用。
05 月 力晶開始以十二吋晶圓廠生產高容量快閃記憶體。
2006 年 01 月 與旺宏達成協定購入晶圓廠房，並命名為 12M廠。
02 月 與瑞薩 (Renesas) 達成AG-AND 快閃記憶體技術授權協定。
12 月 與爾必達簽訂合作備忘錄，將設合資公司以新台幣4,500億元於台灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區；雙方並決定共同開發50奈米DRAM製程技術。
2007 年 06 月 力晶研發測試中心動土典禮。
10 月 與爾必達合資之瑞晶電子公司第一座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。
2008 年 04 月 8A廠獨立為鉅晶電子公司。
4 月 與日商瑞薩、SHARP合資設立Renesas SP公司，共同拓展LCD驅動晶片市場。
4 月 第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。
公司概況
力晶半導體成立於1994年，總部位於台灣新竹科學園區，主營業務為DRAM製造及晶圓代工。1998年在台灣櫃買中心掛牌上櫃，1999年成為台灣首家在盧森堡證券交易所上市的上櫃公司。經過2019年的業務重組與2021年的重新上市，力晶科技已轉型為控股公司，其核心晶圓代工業務由子公司力晶積成電子製造股份有限公司（力積電）運營。2021年12月，力積電重整上市，成為台灣唯一一家下市後重新上市的半導體公司，目前市值約1838億台幣（約合人民幣406億元），為全球第六大晶圓代工廠。
截至2008年底，公司擁有約6100名員工，資本額782億新台幣，年度營收775億新台幣，此為歷史數據，公司於2012年下市後經歷重組轉型。公司曾計畫興建第四座與第五座十二吋晶圓廠（P4/P5廠），其中P5廠位於苗栗銅鑼科學園區。根據2026年1月的最新信息，力積電已與美光簽署意向書，擬將銅鑼P5晶圓廠的廠房及廠務設施出售給美光。
重組後，力積電整合了原力晶的12英寸晶圓廠與鉅晶的8英寸晶圓廠。目前，公司擁有多座8英寸及12英寸晶圓廠，其中8英寸月產能約11萬片，12英寸月產能約11萬片。此外，公司還設有設備翻新服務中心（Overhaul Service Center, OSC），能為客戶提供廣泛的設備翻新、安裝、改造及備件銷售服務。
公司在半導體行業中具有獨特的水平化企業結構，這與行業內普遍垂直整合的模式有所不同。
企業治理
2026年1月，力積電（力晶積成電子製造股份有限公司）宣布與美光科技達成重大戰略合作，美光將以18億美元收購力積電位於苗栗銅鑼科學園區的P5晶圓廠廠房及廠務設施，雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係。美光將協助力積電在新竹P3廠精進現有利基型DRAM製程技術。力積電董事長黃崇仁表示，此交易旨在強化公司財務體質，未來將瞄準AI供應鏈重組生產資源，專注於AI套用所需的3D AI DRAM、WoW（晶圓堆疊）、矽中介層、矽電容、PMIC及功率器件等高附加值晶圓代工產品，逐步減少非AI相關業務。力積電總經理朱憲國表示，公司將在確保生產不中斷的前提下，有序將銅鑼廠的人員、設備及產品線遷回新竹廠區，並逐步淘汰低毛利率產品。
2024年9月，力積電宣布其Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術獲得AMD等多家美日廠商採用，用於結合一線晶圓代工廠的先進邏輯製程，開發高頻寬、高容量、低功耗的3D AI晶片。同時，公司已通過國際大廠認證的2.5D Interposer（中介層）搭配高密度電容IPD產品，原計畫在銅鑼新廠導入量產。
2023年1月，董事長黃崇仁表示，將應印度政府要求，協助當地建立首座半導體晶圓廠。2026年2月，黃崇仁指出，當前由AI驅動的存儲晶片短缺史無前例，預計需求將長期高企，供需平衡最早可能在2028年出現緩和。
主營業務
力積電的主營業務涵蓋邏輯晶圓代工與存儲器（DRAM）製造兩大板塊，其業務範圍涵蓋動記憶體製造及晶圓代工兩大類別。公司以先進存儲器、定製化邏輯積體電路、分離式元件的三大晶圓代工服務為核心，致力於根據不同客戶的屬性和需求，以“Open Foundry”開放平台模式為客戶提供彈性合作服務。
受全球半導體超級周期推動，其DRAM代工營收占比在單季度內由不足四成迅速提升至百分之四十五。2026年1月，美光科技與力積電建立長期的DRAM先進封裝代工關係，美光將協助力積電在新竹P3廠精進現有利基型DRAM製程技術。力積電未來將瞄準AI供應鏈重組生產資源，專注於AI套用所需的3D AI DRAM、WoW、矽中介層等高附加值晶圓代工產品，逐步減少非AI相關的業務。
主要產品與技術
公司擁有3D晶圓堆疊和晶圓堆疊晶片解決方案，可將DRAM直接堆疊和鍵合在邏輯晶片上。其開發的高密度電容IPD的2.5D Interposer技術已通過國際大廠認證。多層晶圓堆疊技術已獲AMD等大廠採用，用於開發高頻寬、高容量、低功耗的3D AI晶片。
公司產品線曾涵蓋SDRAM IC、電源管理IC、面板驅動IC、CMOS Sensor、車用IC、物聯網IC等。根據最新戰略，公司未來將瞄準AI供應鏈，專注於AI套用所需的3D AI DRAM、WoW、矽中介層、矽電容、PMIC及功率器件等高附加值晶圓代工產品，逐步減少非AI相關的業務。
智慧財產權
2022年，力積電開發出第四代氧化物半導體材料IGZO（銦鎵鋅氧化物）製程技術，該技術可生產解析度超過5000ppi的顯示驅動晶片，蘋果、LG等公司採用了相關技術。成立初期，力晶與日本三菱電機建立技術聯盟，2006年獲瑞薩AG-AND Flash技術授權，並與爾必達合作開發50納米DRAM製程技術。
2012年，力晶通過出售瑞晶電子股份，獲得了美光當時最先進的25納米存儲體的技術專利授權。力晶科技多次將技術轉讓給晶合集成，2015年依據協定將驅動晶片代工相關的90納米、110納米、150納米工藝製程的基礎技術檔案及規格檔案提供給晶合集成。
力積電推出3D WoW晶圓堆疊技術，並與愛普合作研發，通過將台積電生產的55納米CPU和自家38納米DRAM經愛普公司異質整合之後，實現了效能與速度的提升。力積電的Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術獲AMD等廠商採用，用於開發高頻寬、高容量、低功耗的3D AI晶片。
經營狀況
力積電2023年營收同比2022年下降42.14%。力積電近十二個月的盈利收益率為-6.0%。力積電的淨營運資本淨額(NNWC)於2024年12月為-59.383十億新台幣。
2023年第四季度，力積電受專用DRAM投片復甦、智慧型手機零部件急單等貢獻營收，在全球晶圓代工廠營收排名上升至第八名。
截至2026年2月，公司股價在過去六個月累計漲幅超過300%。
2026年2月，力晶半導體在中部科學工業園區后里基地舉行第4座12吋晶圓廠上樑典禮，預計2027年8月以70納米製程投片量產，未來規劃投資新台幣3000億元以上，設立4座12吋晶圓廠。
重要事件
2015年，合肥政府引入力晶科技，合作設立晶合集成，切入顯示驅動晶片代工市場。2015年4月27日，合肥市政府與力晶科技簽署《合作框架協定》。
2019年5月，力晶科技業務重組，將其晶圓代工業務轉讓至力積電。2021年12月6日，力積電重整上市。
2023年10月，力晶積成電子製造與SBI控股基本決定在日本宮城縣共同建設半導體工廠。
2026年1月17日，美光科技與力積電簽署意向書，計畫收購力積電位於苗栗縣銅鑼鄉的晶圓廠，雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係。該交易預計於2026年第二季度完成。
