光電二極體（Photo-Diode）和普通二極體一樣，也是由一個PN結組成的半導體器件，也具有單方嚮導電特性。但在電路中它不是作整流元件，而是把光信號轉換成電信號的光電感測器件。
基本介紹
- 中文名：光電二極體
- 外文名：Photo-Diode
- 所屬學科：物理
- 領域：電學
簡介,原理,檢測方法,主要技術參數,種類,PN型,PIN型,發射鍵型,雪崩型,工作原理,製作材料,性能參數,器件特性與本徵參數關係,套用,二極體組,
簡介
原理
普通二極體在反向電壓作用時處於截止狀態，只能流過微弱的反向電流，光電二極體在設計和製作時儘量使PN結的面積相對較大，以便接收入射光。光電二極體是在反向電壓作用下工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電二極體電流變化，這就可以把光信號轉換成電信號，成為光電感測器件。
檢測方法
①電阻測量法
用萬用表1k擋。光電二極體正向電阻約10MΩ左右。在無光照情況下，反向電阻為∞時，這管子是好的(反向電阻不是∞時說明漏電流大)；有光照時，反向電阻隨光照強度增加而減小，阻值可達到幾kΩ或1kΩ以下，則管子是好的；若反向電阻都是∞或為零，則管子是壞的。
②電壓測量法
用萬用表1V檔。用紅表筆接光電二極體“+”極，黑表筆接“—”極，在光照下，其電壓與光照強度成比例，一般可達0．2—0．4V。
③短路電流測量法
用萬用表50μA檔。用紅表筆接光電二極體“+”極，黑表筆接“—”極，在白熾燈下(不能用日光燈)，隨著光照增強，其電流增加是好的，短路電流可達數十至數百μA。
在實際工作中，有時需要區別是紅外發光二極體，還是紅外光電二極體(或者是光電三極體)。其方法是：若管子都是透明樹脂封裝，則可以從管芯安裝外來區別。紅外發光二極體管芯下有一個淺盤，而光電二極體和光電三極體則沒有；若管子尺寸過小或黑色樹脂封裝的，則可用萬用表(置1k擋) 來測量電阻。用手捏住管子(不讓管子受光照)，正向電阻為20-40kΩ，而反向電阻大於200kΩ的是紅外發光二極體；正反向電阻都接近∞的是光電三極體；正向電阻在10k左右，反向電阻接近∞的是光電二極體。
主要技術參數
1.最高反向工作電壓；
2.暗電流；
dark current 也稱無照電流光電耦合器的輸出特性是指在一定的發光電流IF下，光敏管所加偏置電壓VCE與輸出電流IC之間的關係，當IF=0時，發光二極體不發光，此時的光敏電晶體集電極輸出電流稱為暗電流，一般很小。 此外在生理學方面，是指在無光照時視網膜視桿細胞的外段膜上有相當數量的Na離子通道處於開放狀態，故Na離子進入細胞內，形成一個從外段流向內段的電流，稱為暗電流（dark current）。 暗電流是指器件在反偏壓條件下,沒有入射光時產生的反向直流電流.(它包括晶體材料表面缺陷形成的泄漏電流和載流子熱擴散形成的本徵暗電流.) 所謂暗電流指的是光伏電池在無光照時，由外電壓作用下P-N結內流過的單向電流。 光電倍增管在無輻射作用下的陽極輸出電流稱為暗電流
3.光電流；
4.靈敏度；
5.結電容；
6.正向壓降；
7.回響度
回響度是光生電流與產生該事件光功率的比。工作於光導模式時的典型表達為A/W。回響度也常用量子效率表示，即光生載流子與引起事件光子的比。
8.噪聲等效功率
噪聲等效功率（NEP）等效於1赫茲頻寬內均方根噪聲電流所需的最小輸入輻射功率，是光電二極體最小可探測的輸入功率。
9.頻率回響特性
光電二極體的頻率特性回響主要由3個因素決定：
a.光生載流子在耗盡層附近的擴散時間；
b.光生載流子在耗盡層內的漂移時間；
c.負載電阻與並聯電容所決定的電路時間常數。
光電二極體與光電倍增管相比，具有電流線性良好、成本低、體積小、重量輕、壽命長、量子效率高（典型值為80%）及無需高電壓等優點，且頻率特效好，適宜於快速變化的光信號探測。不足是面積小、無內部增益（雪崩光電管的增益可達100~1000，光電倍增管的增益則可達100000000）、靈敏度較低（只有特別設計後才能進行光子計數）以及相應時間慢，且工藝要求很高。
光電二極體和一般的半導體二極體相似，可以暴露（探測真空紫外）或用視窗封裝或由光纖連線來感光。
種類
PN型
特性：優點是暗電流小，一般情況下，回響速度較低。
用途：照度計、彩色感測器、光電三極體、線性圖像感測器、分光光度計、照相機曝光計。
PIN型
特性：缺點是暗電流大，因結容量低，故可獲得快速回響。
用途：高速光的檢測、光通信、光纖、遙控、光電三極體、寫字筆、傳真。
發射鍵型
特性：使用Au薄膜與N型半導體結代替P型半導體
用途：主要用於紫外線等短波光的檢測
雪崩型
特性：回響速度非常快，因具有倍速作用，故可檢測微弱光。
用途：高速光通信、高速光檢測
工作原理
光電二極體是將光信號變成電信號的半導體器件。它的核心部分也是一個PN結，和普通二極體相比，在結構上不同的是，為了便於接受入射光照，PN結面積儘量做的大一些，電極面積儘量小些，而且PN結的結深很淺，一般小於1微米。
光電二極體是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時，反向電流很小（一般小於0.1微安），稱為暗電流。當有光照時，攜帶能量的光子進入PN結後，把能量傳給共價鍵上的束縛電子，使部分電子掙脫共價鍵，從而產生電子---空穴對，稱為光生載流子。
它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光電二極體在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。
光電二極體、光電三極體是電子電路中廣泛採用的光敏器件。光電二極體和普通二極體一樣具有一個PN結，不同之處是在光電二極體的外殼上有一個透明的視窗以接收光線照射，實現光電轉換，在電路圖中文字元號一般為VD。光電三極體除具有光電轉換的功能外，還具有放大功能，在電路圖中文字元號一般為VT。光電三極體因輸入信號為光信號，所以通常只有集電極和發射極兩個引腳線。同光電二極體一樣，光電三極體外殼也有一個透明視窗，以接收光線照射。
製作材料
用於製作光電二極體的材料對於產品屬性至關重要，因為只有具備充足能量光子能夠激發電子穿過能隙，從而產生顯著的光電流。
下表包括了用於製造光電二極體的常見材料：
由於矽光電二極體具有更大的能隙，因此它在套用過程中產生的信號噪聲比鍺光電二極體小。
性能參數
光電二極體的一些關鍵性能參數包括以下幾項。
回響率
一個矽光電二極體的回響特性與突發光照波長的關係回響率（responsivity）定義為光電導模式下產生的光電流與突發光照的比例，單位為安培/瓦特（A/W）。回響特性也可以表達為量子效率（Quantum efficiency），即光照產生的載流子數量與突發光照光子數的比例。
暗電流
在光電導模式下，當不接受光照時，通過光電二極體的電流被定義為暗電流。暗電流包括了輻射電流以及半導體結的飽和電流。暗電流必須預先測量，特別是當光電二極體被用作精密的光功率測量時，暗電流產生的誤差必須認真考慮並加以校正。
等效噪聲功率
等效噪聲功率（英語：Noise-equivalent power, NEP）是指能夠產生光電流所需的最小光功率，與1赫茲時的噪聲功率均方根值相等。與此相關的一個特性被稱作是探測能力（detectivity, D），它等於等效噪聲功率的倒數。等效噪聲功率大約等於光電二極體的最小可探測輸入功率。
當光電二極體被用在光通信系統中時，這些參數直接決定了光接收器的靈敏度，即獲得指定比特誤碼率（bit error rate）的最小輸入功率。
器件特性與本徵參數關係
① 量子效率，
η=(1-R反)(1-
)
R反為光敏面反射係數，為空穴的擴散長度。為了減小R反，通常在受光面鍍抗反膜。②回響速度，在全耗盡情況，回響速度由耗盡區渡越時間τd及（Rs+RL）C時間常數決定。τd=W/V，Vs，為飽和漂移速度，Rs為二極體串聯電阻，RL為負載電阻，C為器件電容。③噪聲來源，噪聲包括散彈噪聲和熱噪聲。前者來源於光電流、背景光電流及暗電流等的隨機量子起伏。熱噪聲由負載電阻及跟隨放大器的輸入阻抗等溫度起伏所引起。④暗電流Id，耗盡區的峰值電場超過臨界值Em(InGaAS Em≈1.5×10V/cm)時，隧道電流將成為暗電流的主要成分。使用時必須保Em<Em。⑤壽命，反映光電二極體退化的主要參數是反向漏電流，室溫反向漏電流增加至原始值10倍時的工作時間為光電二極體的壽命。
套用
PN結型光電二極體與其他類型的光探測器一樣，在諸如光敏電阻、感光耦合元件（Charge-coupled Device, CCD）以及光電倍增管等設備中有著廣泛套用。它們能夠根據所受光的照度來輸出相應的模擬電信號（例如測量儀器）或者在數字電路的不同狀態間切換（例如控制開關、數位訊號處理）。
光電二極體在消費電子產品，例如CD播放器、煙霧探測器以及控制電視機、空調的紅外線遙控設備中也有套用。對於許多套用產品來說，可以使用光電二極體或者其他光導材料。它們都可以被用於測量光，常常工作在照相機的測光器、路燈亮度自動調節等。
所有類型的光感測器都可以用來檢測突發的光照，或者探測同一電路系統內部的發光。光電二極體常常和發光器件（通常是發光二極體）被合併在一起組成一個模組，這個模組常被稱為光電耦合元件。如果這樣就能通過分析接收到光照的情況來分析外部機械元件的運動情況（例如光斬波器）。光電二極體另外一個作用就是在模擬電路以及數字電路之間充當中介，這樣兩段電路就可以通過光信號耦合起來，這可以提高電路的安全性。
在科學研究和工業中，光電二極體常常被用來精確測量光強，因為它比其他光導材料具有更良好的線性。
在醫療套用設備中，光電二極體也有著廣泛的套用，例如X射線計算機斷層成像（computed tomography, CT）以及脈搏探測器。
PIN結型光電二極體一般不用來測量很低的光強。然而，如果光強足夠大，雪崩光電二極體、感光耦合元件或者光電倍增管就能發揮作用，例如天文學、光譜學、夜視設備、雷射測距儀等套用產品。
與光電倍增管的比較比光電倍增管更加優越的特性：
1.更好的線性
2.從190納米到1100納米（矽）的回響光譜範圍
3.低噪聲
4.被加固以適應機械擠壓
5.價格低廉
6.結實但自重較輕
7.使用壽命長
8.無需高壓電源即可工作
缺點：
1.面積太小
2.沒有內部增益（雪崩光電二極體除外，而且即使是雪崩光電二極體，其內部增益也通常只有102–103 ，遠低於光電倍增管的108數量級
3.總的來說靈敏度更低
4.只有具有特殊設計的產品才能對光子進行技術
5.許多產品設計的回響時間更慢
