倪海橋

倪海橋，男，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。1988年至1992年就讀於北京航空航天大學獲學士學位，獲該校碩士學位後，赴新加坡國立大學深造並獲得博士學位。進入中國科學院半導體研究所從事博士後研究，晉升副研究員，擔任研究員。

倪海橋長期從事半導體低維結構材料分子束外延生長及光電子器件研究，研究方向包括量子點單光子源、近紅外波段半導體雷射器、矽襯底外延生長III-V族光電子器件等。主持國家自然科學基金、北京市自然科學基金及973計畫課題，參與編寫《半導體微納材料與量子光電子器件》教材。累計發表學術論文334篇，覆蓋《Nature Nanotechnology》等期刊，研究方向涉及半導體量子點雷射器等領域。研究成果包括研製1.55微米諧振腔增強探測器、1.59微米量子阱雷射器等

基本介紹

• 中文名：倪海橋
• 畢業院校：新加坡國立大學
• 學位/學歷： 博士
• 職業：教師
• 職務：博士生導師
• 性別：男
• 職稱：研究員

人物經歷

教育背景

1997-09--2002-07 新加坡國立大學 博士

1992-09--1995-07 北京航空航天大學 碩士

1988-09--1992-07 北京航空航天大學 學士

工作經歷

2015-09~2016-08,中國科學院半導體研究所, 研究員

2005-09~2015-09,中國科學院半導體研究所, 副研究員

2002-09~2005-07,中國科學院半導體研究所, 博士後

科研成就

研究領域

近紅外波段半導體雷射器和探測器；量子點單光子源；半導體超短脈衝雷射器；THz波產生和探測器件；矽襯底外延生長IIIV族光電子器件；超低功耗發光器件。

科研項目

l. 北京市自然科學基金：室溫半導體基糾纏對單光子源（2011-2013），主持

2. 國家自然科學基金：基於半導體單量子點諧振腔耦合結構的超低功耗發光器件 （2013-2016），主持

3. 973重大計畫課題：銻化物納米結構中紅外雷射與探測器（2013-2017），主持

研究成果

先後承擔和參加多項國家重大項目和重點項目課題。用雷射濺射方法成功地獲得了室溫螢光譜線明顯藍移的GaN納米點。用雷射濺射方法研究了ZnO薄膜的生長及其物理特性。成功地用電漿濺射方法獲得了具有鐵電性能的摻Li ZnO薄膜。用多體物理中的GW近似、局域濃度近似（LDA）及微擾等方法計算了GaN和ZnO材料的能帶結構及直接躍遷吸收邊的性能，並定量地研究了成份偏離對其的影響。在其後的工作期間，主要從事稀釋磁性半導體材料（ZnO,GaN,TiO2）的原子層MOCVD生長。獲得了居里溫度在室溫的摻Co ZnO材料。研製成功室溫1.0－1.6微米GaInNAsSb/GaAs量子阱材料，首次在國際上報導了1.55微米GaInNAs/GaAs多量子阱諧振腔增強探測器RCE－PD、1.59 微米GaInNAsSb量子阱雷射器。創新設計GaAsSb/InGaAs複合量子阱結構，波長覆蓋1.2-2.0微米波段。首次在國內報導了1.33 微米InAs量子點雷射器；目前最新的進展包括以下幾個方面：完成了InAs量子點單光子源的生長；完成了用於THz波產生和探測的低溫GaAs材料；完成了單晶片集成的超短脈衝半導體量子點雷射器。

代表論文

1. H. Q. Ni, Z. C. Niu, X. H. Xu, Y.Q. Xu, W. Zhang, X. Wei, L. F. Bian, Z. H. He, Q. Han, and R. H. Wu, “High Indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25μm at room temperature”, Appl. Phys. Lett., 84, 5100 (2004).

2. H. Q. Ni, X.H. Xu, W. Zhang, Y.Q. Xu, Z. C. Niu, and R. H. Wu, “The effects of Sb, N, and period on the electronic properties of GaAs/GaInNAsSb superlattices ”, Acta Physica sinica (in Chinese), 53, 1474 (2004). [倪海橋, 徐曉華, 張緯, 徐應強, 牛智川, 吳榮漢, 物理學報]。

3. Z. C. Niu, H. Q. Ni, X.H. Xu, W. Zhang, Y.Q. Xu, and R. H. Wu, “Electronic properties of GaAs/GaInNAsSb superlattices”, Phys. Rev. B 68, 235326 (2003).

4.　倪海橋，牛智川，張石勇，徐應強，韓勤，吳榮漢，“1300 nm P型GaAs/AlGaAs分散式布拉格反射鏡的最佳化”，第十三屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議暨第九屆全國固體薄膜學術會議，2004，8 大連，P140。 

5. H. Q. Ni, Y. F. Lu, and Z. M. Ren, “Investigation of Li-doped ferroelectric and piezoelectric ZnO thin films by electric force microscopy and Raman spectroscopy”, APPL PHYS LETT 79: (6) 812-814 AUG 6 2001.

6. H. Q. Ni, Y. F. Lu and Z. M. Ren, “Quasiparticle band structures of wurtzite and rock-salt ZnO”, J. Appl. Phys. 91, 1339 (2002).

7. H. Q. Ni, Y. F. Lu, and Z. M. Ren, “Ab initio pseudopotential calculations of electronic structure of off-stoichiometrical ZnO of wurtzite and rock-salt ZnO”, JPN J APPL PHYS 1 40: (6A) 4103-4108 JUN 2001.

8. H. Q. Ni, Y. F. Lu, J. H. Teng, Y. X. Jie, Z. H. Mai and Z. M. Ren, “Surface and optical properties of nanocrystalline GaN thin films on sapphire (0001) by pulsed laser deposition”, SPIE Conference 3898: Photonic Systems and Applications in Defense and Manufacturing, 1-3 Dec 1999, Singapore (Proceedings of SPIE Vol. 3898). 

9. He Ji-Fang, Niu Zhi-Chuan, Chang Xiu-Ying, Ni Hai-Qiao, Zhu Yan, Li Mi-Feng, and Shang Xiang-Jun, "Molecular beam epitaxy growth of GaAs on offcut Ge substrate", Chin. Phys. B, 20(1), 018102 (2011) 

10. X. H. Yang, X. L. Xu, X. P. Wang, H. Q. Ni, Q. Han, Z. C. Niu, D. A. Williams, “Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio”, Appl. Phys. Lett. 96(8), 083503(2010) 

11. X. Huang, X. H. Zhang, Y. G. Zhu, T. Li, L. F. Han, X. J. Shang, H. Q. Ni and Z. C. Niu，The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots，J. Opt. 12, 055203(2010). 

12. Ming Gong, Geng Chen, Lixin He, Chuan-Feng Li, Jian-Shun Tang, Fang-Wen Sun, Zhi-Chuan Niu, She-Song Huang, Yong-Hua Xiong, Hai-Qiao Ni and Guang-Can Guo, "Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots",Europhys. Lett.90, 37004 (2010).

13. Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect，Appl. Phys. Lett. 102, 012406(2013). 

14. Single InAs Quantum Dot Grown at the Junction of Branched Gold-Free GaAs Nanowire, Nano Letters, 13(4),1399(2013)

15. Field-Field and Photon-Photon Correlations of Light Scattered by Two Remote Two-Level InAs Quantum Dots on the Same Substrate　Physical Review Letters, 109, 267402(2012)

16. High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrateAppl. Phys. Lett.98(20), 201104(2011)

17. Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio　Appl. Phys. Lett. 96(8), 083503 (2010)