基本介紹
- 中文名:一氧化鎵
- 分類:化學物質
- 顏色:白色
一氧化鎵(GaO)是鎵的氧化物之一,呈白色膠狀或灰色固體(因形態差異)。酸性強於鹼性,難溶於水,易溶於稀無機酸及鹼金屬氫氧化物溶液。製備方法包括鎵(III)鹽溶液與氨水反應生成沉澱,以及氫還原三氧化二鎵。該化合物加熱至1...
氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga₂O₃。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga₂O₃是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的套用前景,被用作於Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O₂化學探測器...
氧化鎵日盲光電探測器由蘭州大學物理科學與技術學院與中國科學技術大學聯合研發成功。設備簡介 研究團隊創新性地提出一種熱脈衝技術,通過精準、快速調控氧化鎵薄膜中的溫度分布,形成垂直分層的晶體結構和氧空位分布,有效最佳化了載流子的生成與傳輸路徑——表面富氧空位層提升載流子生成,底層緻密區加速傳輸。基於該技術製備...
朝陽金美鎵業有限公司成立於2018年7月25日,位於遼寧省朝陽市喀左經濟開發區,是一家以有色金屬冶煉及延壓加工為主的高新技術企業。公司專注於氧化鎵、銦、鍺等稀有金屬及高純金屬的研發、生產與銷售,擁有47項專利(截至2025年),並具備危險化學品生產資質。作為通美晶體旗下企業,其業務涵蓋電子材料研發、金屬...
Beta-氧化鎵單晶薄膜的外延生長及性質研究是山東大學馬瑾團隊承擔的面上項目,聚焦於採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術製備β-Ga₂O₃單晶薄膜,研究其生長機理與物理特性。該項目通過異質/同質外延生長技術,系統分析了MgO、藍寶石等襯底材料的晶格適配性,最佳化生長溫度(650-700°C)與退火工藝,實現α相與β...
《基於氧化鎵多層堆疊結構的PIN二極體及其製備方法》是西北工業大學於2019年11月25日申請的專利,該專利公布號為CN110993707B,專利公布日為2021年6月15日,發明人是汪鈺成、關赫。 專利摘要 本發明屬於半導體領域,具體提供了一種基於氧化鎵多層堆疊結構的PIN二極體,包括最底層的Ga₂O₃襯底、生長在所述Ga₂O...
氫氧化鎵(Ga(OH)₃)是一種白色凍狀化合物,具有兩性特點,其酸性略強於鹼性,且酸性比氫氧化鋁(Al(OH)₃)更強。該物質可溶於酸生成鎵鹽(如Ga₂(SO₄)₃、GaCl₃等),也可溶於鹼生成鎵酸鈉,這一性質使其在製備金屬鎵及各類鎵鹽中具有套用價值。金屬鎵(Ga)在沸水中反應劇烈生成氫氧化鎵並...
硫酸鎵銨,十二水合物為無色立方晶繫結晶,呈正八面體狀,外觀和明礬相近,無水物為白色粉末,相對密度1.77。可溶於水,1份質量的晶體可溶於3.24份質量的水中,但難溶於乙醇。加熱其溶液容易發生水解生成氫氧化鎵Ga(OH)₃沉澱。加熱灼燒時先失去結晶水,進一步加熱至250℃以上則分解為Ga₂O₃、SO₃...
《基於氧化鎵的超寬禁帶半導體薄膜生長與表征》是2020年華中科技大學出版社出版的圖書,作者是張法碧。內容簡介 本書主要研究了新一帶超寬禁帶半導體材料-氧化鎵的基本性質;全書從氧化鎵的基本性質與國內外研究現狀入手,詳細論述了氧化鎵生長質量的影響因素;論述了利用摻雜來氧化鎵電導率調製的方法與機制;論述了分別...
《氧化鎵納米線的高溫感測性質研究》是依託北京大學,由俞大鵬擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 流形上的退化橢圓型方程是數學中重要而困難的領域。近十年以來,國際上一批知名數學家在這一領域取得了許多具有深遠意義的結果。為推動我國學者在相關問題上的研究,我們計畫在2016年4月4日至4月22日在北京大學為國內...
《基於SiC襯底的氧化鎵外延薄膜生長及其特性研究》是依託西安電子科技大學,由賈仁需擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 Ga2O3具有巴利加優值較高,在製造相同耐壓的單極功率器件時,導通電阻比較小,可以有效的提高能源轉換效率,極大地促進能源節約型社會的建設進程。Ga2O3薄膜的質量的優劣(缺陷多少)直接決定了Ga2O...
《耐高溫耐輻照氧化鎵基alpha粒子探測器的研究》是依託大連理工大學,由夏曉川擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 高溫耐輻照半導體alpha粒子探測器在核試驗、地下探礦、核電監測及中子探測等極端環境中具有重要套用。目前已成熟的Si和Ge半導體輻射探測器,因材料禁頻寬度小,導致高溫下器件探測性能因熱激發效應而...
· P型氧化鎵深紫外透明導電膜研究(2009ZRB01702);基金來源:山東省自然科學基金面上項目;資助金額: 5萬;起止年限:2010.01-2012.12。 · 高透明高隔熱節能玻璃貼膜(J10LA08);基金來源:山東省高等學校科技計畫項目;資助金額: 5.5萬;起止年限:2011.01-2013.12。 研究成果 近年來在《Materials Science and Engineering...
寬頻隙半導體材料是帶隙大於3.4 eV的新型半導體材料,具有高擊穿電場、耐高溫、高頻特性等優勢,在工業設備領域展現重要套用潛力。其代表性材料包括氮化鋁、金剛石、氧化鎵等,廣泛套用於電力電子器件、光電器件、感測器及極端環境設備等方向。2024年DARPA啟動超寬頻隙半導體計畫,推動單晶金剛石和低缺陷氮化鋁襯底的研發...
3.9.1 鈀納米線 3.9.2 鈀納米管 3.10 錫納米線 參考文獻 4 一維氧化物納米材料 4.1 一維氧化鎂納米材料 4.1.1 氧化鎂納米線和納米帶 4.1.2 氫氧化鎂納米管 4.2 一維氧化鋁納米材料 4.2.1 氧化鋁納米管 4.2.2 氧化鋁納米線 4.3 一維氧化鎵納米材料 4.3.1 氧化鎵納米管 4.3.2...
研究院聚焦碳化矽、氮化鎵、氧化鎵等寬禁帶及超寬禁帶半導體材料與器件研究,面向能源、信息、國防等領域需求,承擔國家級、省部級科研項目60餘項,總經費超5億元。研究院實行“雙一把手工程”管理機制,配備1.2萬平方米研發中心及先進設備,與華為等企業深度合作。團隊由徐現剛教授領銜,成員包括多位國家
2021年3月發表於《Materials Today Physics》的研究中,首次通過晶格無序化調控將氧化鎵禁頻寬度從5.1 eV連續調節至4.4 eV,構建的自驅動同質結探測器回響度達到7.1 mA/W。2022年6月在《Nano Letters》報導的石墨烯/氧化鎵肖特基結位置敏感探測器,實現0.8 μs的回響速度和48.5 mA/W回響度,該器件可同步...
α-Ga2O3基薄膜外延生長與物性研究是由北京郵電大學唐為華主持的國家自然科學基金面上項目,專注於氧化鎵材料中α相薄膜的可控制備及物理性能研究。該項目針對α-Ga2O3薄膜生長難題,結合第一性原理計算與分子束外延技術,通過調控溫度、氧壓等參數,實現了高質量α-Ga2O3及Sn摻雜薄膜的生長。研究發現Sn摻雜濃度可...
梁紅偉,男,教授、博士生導師、碩士生導師,大連理工大學微電子學院院 長 。主要研究方向為第三代半導體材料與發光器件(氧化鎵材料、氮化鎵系紫外、藍光、綠光及黃光LED,新型氮化硼半導體材料)、氮化鎵高電子遷移率電力電子器件(HEMT器件及感測器件)及耐高溫、耐輻照探測器件(粒子探測器件、X射線探測器等)。曾...
第一篇鎵 第一章鎵的發展歷史 第二章鎵的性質和用途 第一節鎵的性質 第二節鎵的用途 第三章鎵資源分布 第四章鎵生產技術 第一節碳酸化處理法流程 第二節混聯法處理流程 第三節粗鎵的提純 第四節世界鎵生產概況 第五節中國鎵生產概況 第五章鎵產品標準體系 第一節金屬鎵質量標準 第二節氧化鎵質量標準 ...
其團隊在氣體感測器、柔性電子器件和第三代半導體器件方向取得突破性成果,包括開發高靈敏MEMS硫化氫氣體感測器、仿皮膚智慧型盲文識別感測器及全柔性氧化鎵光電探測器。截至2023年,累計發表SCI論文254篇,並擔任2023中國真空技術與半導體套用大會執行主席。研究方向 聚焦第三代半導體材料開發,研究Ga₂O₃等材料在功率器件...
本書主要研究了新一帶超寬禁帶半導體材料-氧化鎵的基本性質;全書從氧化鎵的基本性質與國內外研究現狀入手,詳細論述了氧化鎵生長質量的影響因素;論述了利用摻雜來氧化鎵電導率調製的方法與機制;論述了分別利用氧化銦和氧化鋁和氧化鎵來形成合金從而調節其禁頻寬度的方法與機制。 圖書目錄 1 Introduc...
2025年提出氧化鎵雙層薄膜結構,使探測器回響度提升3個數量級,突破回響速度與靈敏度相互制約的瓶頸。學術貢獻 截至2025年,在《Science》《Nature Communications》等期刊發表論文50餘篇(第一/通訊作者15篇),3篇入選ESI高被引論文。擔任《Advanced Materials》等10餘個期刊審稿人,在國際會議作報告20餘場。榮譽獎項...
2022年首次以第一作者單位在IEEE國際電子器件大會發表氧化鎵器件研究成果,標誌著科研水平的突破。師資隊伍計畫組建60人專職教師團隊,其中正高職稱30人,並與國內外高校、企業及研究所合作推進產教融合。學院通過承辦積體電路科技夏令營、組織學術講座等活動,強化人才培養與學術交流,致力於建設國際化微電子研究基地。研究...
51玻璃組分部分性質 52氧化矽在矽酸鹽玻璃中結構狀態及其對性質的影響 53鹼金屬氧化物在矽酸鹽玻璃中結構狀態及其對性質的影響 54二價氧化物在矽酸鹽玻璃中結構狀態及其對性質的影響 55氧化硼在矽酸鹽玻璃中結構狀態及其對性質的影響 56氧化鋁在矽酸鹽玻璃中結構狀態及其對性質的影響 57氧化鎵在...
梅增霞是松山湖材料實驗室"氧化物半導體光電信息材料及器件"團隊負責人,主要從事氧化物半導體光電功能材料與器件研究。其團隊在非晶氧化鎵薄膜製備、X射線探測技術、光電突觸器件等領域取得多項突破性成果,先後獲得國家發明專利18項及PCT國際專利1項。她在2023年獲得廣東省三八紅旗手榮譽稱號,帶領團隊從北京遷至東莞松山湖...
單寧與樣品處理液中的鎵等金屬離子生成的單寧-鎵絡合物,經活性碳吸附、過濾和灼燒濾渣,得到鎵含量較高的灰分,對灰分(可能含有氧化鎵、氧化鋁、氧化鐵等)以6mol/L的鹽酸進行溶解,再加入6mol/L氨水(過量,沉澱不減少)發生化學反應,過濾除去氫氧化鋁和氫氧化鐵,對濾液進行蒸發濃縮、結晶和過濾,得到氫氧化鎵...
基於蜂窩氮化鎵納米網,課題提出 FET(場效應電晶體)型和電容型納米氫氣感測器,重點研究二氧化矽、氮化矽、氧化鎵絕緣插入層對氫氣檢測影響機理,納米感測器優異回響特性機理,和氫氣濃度量化數學表達式,為高性能納米感測器的簡易、可控、大批量製備提供理論指導和技術儲備,加快高性能納米感測器實用化進程。結題摘要 實驗...
(一)美國磷化銦和氮化鎵射頻裸晶片與矽互補金屬氧化物 半導體晶圓異構集成達到代工水平--- 82 (二)日本成功研製出全球首個金剛石基金屬氧化物半導體 場效應電晶體--- 85 (三)美國開發出基於下一代電力電子半導體材料氧化鎵 全新耗盡/增強型場效應電晶體--- 87 四、新材料器件前沿技術在二維材料生長和先進...
