簡介,性質,外觀,製備,方法,工藝條件,
簡介
性質
能與酒石酸絡合。加熱170℃以上生成羥基氧化鎵GaO(OH)。400℃以上完全脫水，生成三氧化二鎵。可由鎵（III）鹽溶液與氨水反應，控制PH值為3.2時能得到氫氧化鎵沉澱，再經乾燥製得。用於製備金屬鎵及各種鎵鹽。
外觀
呈白色結晶粉末，不溶於水和稀硫酸溶液與鹼金屬氧化物在高溫下反應可以生成鎵鹽，其熔點為1740℃。本品用作鎵--石榴石（GGG）的原料。
製備
方法
鎵摻雜的氧化物透明導電薄膜材料的製備方法，屬於光電子信息功能材料技術領域。在ZnO薄膜中進行鎵摻雜，用偏壓射頻磁控濺射技術在真空條件下，在有機聚合物薄膜襯底上室溫製備出具有多晶結構的ZnO∶Ga透明導電膜，濺射用陶瓷靶組分為氧化鋅和三氧化二鎵，
工藝條件
氬氣分壓0.5-5Pa，濺射功率50-200W，濺射偏壓0～-100V。製得薄膜的載流子濃度為1.2×1021cm-3，遷移率為13.5cm2V-1S-1，電阻率為4.6×10-4Ωcm，方塊電阻6.2Ω/□，可見光範圍的透過率超過83%。扣除有機材料襯底的影響，在可見光範圍內薄膜的平均透過率可以達到90%，性能優於ZnO∶Al薄膜，因此在有機平板顯示和有機光電子器件等領域可以替代現有的透明導電膜材料。
