採用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結(英語:PN junction)...
一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(英語:pn junction)。PN結是電子技術中許多元件,例如半導體二極體、雙極性...
PN結隔離(isolation with p-n junction)是指把需要相互絕緣的各部分,用加有反向偏壓的PN結來實現隔離。當對一個PN結施加反向偏壓時,它有很高的反向電阻。即一個...
pn結擊穿(electrical breakdown of p-n junction)對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時,反向電流密度突然開始迅速增大的現象稱為pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓...
pn結勢壘就是指pn結的界面存在空間電荷區,該空間電荷區對於載流子而言就是一種能量勢壘。...
pn結耗盡層是半導體器件中採用最廣泛的一個概念,即認為pn結的空間電荷區是一個完全不存在載流子的區域,稱為pn結耗盡層;這實際上對於一般的pn結都是一種很好的近似...
突變pn結(abruptp-njunction)當半導體內的雜質從受主雜質突變為施主雜質時,稱為突變結。...
緩變pn結(gradedp-njunction) 從p區到n區摻雜濃度逐漸改變的pn結,如用固態擴散工藝製造的pn結。大多數緩變pn結數學上可作為線性緩變結處理。通常由擴散工藝製備的...
即當太陽光或其他光照射半導體的PN結時,就會在PN結的兩邊出現電壓,叫做光生電壓,使PN結短路,就會產生電流。中文名 PN結光生伏特效應 簡稱 “光伏效應” 發現...
半導體的異質結是一種特殊的PN結,由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成,這些材料具有不同的能帶隙,它們可以是砷化鎵之類的化合物,也可以是矽-...
一般在談到半導體的PN結時,就會聯繫到勢壘,這涉及半導體的基礎內容。簡單地說,所謂勢壘也稱位壘,就是在PN結由於電子、空穴的擴散所形成的阻擋層,兩側的電位差,就稱...
材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強。這樣通過空間電荷區的電子和空穴,就會在電場作用下,使獲得的能量增大。在晶體中運行...
空間電荷區也稱耗盡層。在PN結中,由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動,使PN結中間的部位(P區和N區交界面)產生一個很薄的電荷區,它就是空間電荷區。...
在高溫下使摻雜金屬(又稱為合金材料)和半導體晶片熔成合金來製作PN結(或形成積體電路歐姆接觸)的工藝。用合金工藝製作鍺PN結的典型工藝過程,是將摻雜金屬(如In)...
單結電晶體(簡稱UJT)又稱基極二極體,它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,它的基片為條狀的高阻N型矽片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2...
晶體三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把正塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。...
半導體器件特性之一,把電源的電壓的正極與P區引出端相連,負極與N極引出端相連時,稱PN結正向偏置,簡稱PN結正偏。[2] 正向偏置原理 ...
正、反電阻的大小是相對而言的,反向電阻是二極體處於反向偏置而未擊穿時的電阻,也就是PN結的反向電阻,這一電阻很大,反向電阻要遠遠大於正向電阻。二極體正向電阻的...