eFuse

eFuse

eFuse的誕生源於幾年前IBM工程師的一個發現:與更舊的雷射熔斷技術相比,電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結構。EM熔絲可以在晶片上編程,不論是在晶圓探測階段還是在封裝中。採用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V),一個持續200微秒的10毫安直流脈衝就足以編程單根熔絲。

概念,套用,

概念

不同於大多數FPGA使用的SRAM陣列,eFuse一次只有一根熔絲能夠被編程,這是該方法的配置能力存在限制範圍的原因。但當與日益成熟的內置自測試(BIST)引擎組合使用時,這些熔絲就變成了強大的工具,能減少測試和自修復的成本,而這正是複雜晶片設計所面臨的重大挑戰。
eFuse就好像在矽片上建立了無數個交通崗哨,控制信號的傳輸或停止,據悉這將把晶片中的電路運行效率提高上千倍。這種功能將會為電子領域帶來一種“大規模市場效應。”FPGA提供商加州Xilinx公司CTO里奧.波爾森先生表示:“比如您購買了一個新的控制器,最開始的時候控制器的功能是空的,不過在把它帶回家後,它重新識別了您家中的所有系統,電視、音響、DVD、並且自動對自身進行改造,來控制這些電器。
圖為Motorola Droid X圖為Motorola Droid X

套用

POWER5和POWER6的高端RISC處理器
IBM公司的System z9 和z10大型主機處理器
Cell用於PlayStation 3遊戲機de的微處理器
Xenon用在Xbox 360遊戲主機的CPU
德州儀器基於手機和其他設備的OMAP3處理器,以及用於圖像處理的達文西系列
摩托羅拉的Droid X

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