band offset

能帶偏移描述了半導體異質結中能帶的相對排列。

能帶偏移
描述了半導體異質結能帶的相對偏移量,如圖1中ΔEc和ΔEv。
 但是對與量子阱(圖2)或是超晶格(圖3)來說,勢阱中的能級出現量子化,比如圖2中的分立能級,載流子不再局限於導帶底(Ec)和價帶頂(Ev),此時的能帶偏移量ΔEc以不再等於qΦb,而是有所減小;同理ΔEv。
圖 1 異質結圖 1 異質結
對於超晶格結構,分立的子能級形成連續的能帶結構,如圖3中的陰影線所示,相鄰勢阱的能帶相互貫通,已無所謂的能級偏移。
圖 2 量子阱圖 2 量子阱
圖 3 超晶格圖 3 超晶格

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