Webster效應

基本概念

威布斯特效應（Webster effect）是雙極型電晶體（BJT）在大注入條件下工作時所出現的基區電導率增高的一種現象，又稱為基區電導調製效應。BJT在大注入工作時，另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應（基區展寬效應）。　

產生機理

例如，對n-p-n電晶體，當發射結電壓較大、往基區大量地注入少數載流子——電子時，相應地基區中也有大量的多數載流子——空穴的積累 (並維持與電子有相同的濃度梯度), 這就相當於增加了基區的摻雜濃度, 使得基區的電阻率下降，這就是威布斯特效應。若原來p型基區的電阻率為ρo ≈ 1/(q μp Nb) ，大注入時基區中的空穴濃度將為pp = Nb + Δp = Nb + Δn，則電阻率變為ρ = 1/[q μp (Nb+Δn)] = ρo Nb/(Nb+Δn)。　

對器件性能的影響

這種大注入使基區電阻率降低（注入越大, 降低得越多）的現象，就直接減小了發射結注入效率，使電流放大係數降低。

Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區電晶體（例如合金電晶體）而言，影響特別嚴重，這往往就是引起其大電流βo下降的主要原因。

但是，對於非均勻基區電晶體（例如Si平面雙擴散電晶體）而言，在大電流時βo的下降，Webster effect效應可能不是主要原因，這時更加主要的可能是Kirk效應。

當BJT工作時出現發射極電流集邊效應時，將會加劇Webster effect效應和Kirk效應。