SOCAMM

SOCAMM，全稱Small Outline Compression Attached Memory Module，是一種由英偉達主導，與三星、SK海力士、美光等公司合作開發的面向AI伺服器與PC的模組化記憶體標準。它基於LPDDR5X DRAM顆粒，外形尺寸為90mm×14mm，採用128bit位寬，單模組容量可達128GB，支持8533 MT/s。

該標準於2025年進入公眾視野，美光與SK海力士在當年3月公布了用於英偉達GB300 Grace Blackwell平台的產品。美光宣布其SOCAMM模組已實現量產。英偉達計畫將其套用於個人AI超級計算機Project DIGITS。

基本介紹

• 中文名：小型化壓縮附加記憶體模組
• 外文名：Small Outline Compression Attached Memory Module
• 上市時間：2025年
• 所屬品牌：英偉達
  三星
  SK海力士
  美光

技術定義

SOCAMM，全稱 Small Outline Compression Attached Memory Module，即小型化壓縮附加記憶體模組。它是由英偉達（NVIDIA）主導，聯合三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）等記憶體廠商共同開發的新型記憶體標準。SOCAMM是一種面向AI伺服器與PC的模組化記憶體標準，其技術方案基於LPDDR5X DRAM顆粒。在業界，SOCAMM被視為“下一代”HBM（高頻寬記憶體），在小型PC和筆記本電腦等場景中，被認為具有優於傳統DRAM的性能和能效。

技術特點

SOCAMM，全稱為 Small Outline Compression Attached Memory Module（小型化壓縮附加記憶體模組），是一種由英偉達主導、聯合三星、SK海力士和美光等記憶體廠商共同開發的模組化記憶體標準，主要面向AI伺服器與PC。

其外形尺寸為90mm×14mm，大小約為行業標準DDR5 RDIMM的1/3。SOCAMM採用單面四顆粒焊盤、三固定螺絲孔的設計，頂部無凸出的梯形結構，降低了整體高度，更適合伺服器的安裝環境和液體冷卻系統。

SOCAMM基於LPDDR5XDRAM顆粒，採用128bit位寬，支持8533 MT/s的數據速率。通過四顆16芯堆疊的16Gb DRAM，可實現單模組128GB的容量。在相同容量下，其頻寬可達傳統DDR5 RDIMM的2.5倍以上。

得益於LPDDR5X的低功耗特性，SOCAMM的功耗為傳統DDR5 RDIMM方案的1/3，能效較高。

SOCAMM採用可拆卸的模組化插拔結構設計，用戶可像更換硬碟一樣進行記憶體升級或替換，這有助於提高設備的服務性、部署靈活性和使用壽命。

SOCAMM擁有694個I/O連線埠，多於LPCAMM2標準的644個連線埠。更多的I/O引腳有助於提升處理器與記憶體之間的數據傳輸速度，緩解AI計算中的數據瓶頸問題。

發展歷程

2025年2月，英偉達與三星、SK海力士等記憶體合作夥伴開始共同開發SOCAMM，並交換原型進行測試，目標年底量產。2025年3月19日，美光、SK海力士正式公布新的SOCAMM記憶體模組。美光宣布其SOCAMM已投入量產，將用於英偉達GB300 Grace Blackwell Ultra超級晶片平台。2025年5月，英偉達在GTC 2025上發布的個人AI超級計算機“DGX Spark”採用了SOCAMM模組。

2025年7月，據ETNews報導，英偉達計畫在2025年為其AI產品部署60至80萬個SOCAMM記憶體模組，首批套用於GB300 Blackwell平台。2025年12月，訊息稱三星電子拿下2026年英偉達第二代SOCAMM（SOCAMM 2）晶片的半數訂單。整個SOCAMM技術的商業化進程與英偉達Project DIGITS個人AI超級計算機項目緊密相關。

產品型號與套用

2025年3月，美光、SK海力士兩大DRAM記憶體原廠正式公布了新的SOCAMM記憶體模組。美光展示的產品基於4顆16芯堆疊的16Gb LPDDR5X DRAM顆粒，整體容量達到128GB，支持8533 MT/s的數據速率。該模組外形尺寸為90mm×14mm，採用128bit位寬，其大小僅有行業標準DDR5 RDIMM的約1/3。

美光稱該型記憶體條將被用於英偉達GB300 Grace Blackwell Ultra超級晶片，預計作為Grace CPU的可更換記憶體使用。英偉達計畫在2025年為其AI產品部署60至80萬個SOCAMM記憶體模組，首批搭載於GB300 Blackwell平台。英偉達發布的個人AI超級計算機“DGX Spark”也採用了SOCAMM模組。華碩AI POD集成了為可維護性設計的SOCAMM模組。SOCAMM也將套用於英偉達第二代“個人AI超算”Project DIGITS的疊代款中。英偉達Vera CPU採用了SOCAMM LPDDR5X技術，實現了1.2 TB/s的記憶體頻寬。

SOCAMM是一種面向AI伺服器與PC的模組化記憶體標準。其模組化、緊湊、低功耗的特點適合AI伺服器與數據中心、個人AI超級計算機等需要高性能、高能效記憶體支持的領域，也更適合伺服器的安裝環境和液體冷卻。

除了美光、SK海力士、三星等原廠，中國廠商江波龍也推出了自研的SOCAMM產品，用於AI伺服器，並與頭部客戶完成聯合開發。

技術影響與行業意義

SOCAMM並非旨在取代HBM，而是作為其補充方案。它基於LPDDR5X，在頻寬上低於HBM，但在功耗和成本方面更具優勢。隨著AI套用由訓練向推理擴展，對高能效、可規模部署的通用DRAM需求提升，SOCAMM與這一技術方向具有較高匹配度。這促使行業探索“異構存儲架構”，即HBM用於核心計算單元，而SOCAMM服務於邊緣推理等對成本和能效更敏感的場景。

SOCAMM的研發與推廣，反映了記憶體產業合作模式的變化。在SOCAMM、CXL記憶體等新方向上，記憶體廠商與系統廠商更多採用“聯合定義”的方式，共同確定接口形式、性能目標及套用場景。這種深度綁定的合作模式，有助於技術快速落地並滿足特定計算架構的需求。

由英偉達主導推動的SOCAMM，被視為其推動自有記憶體標準的嘗試，這標誌著對JEDEC等傳統行業標準框架的一次重大轉變。儘管其最終能否成為廣泛接受的開放標準尚存不確定性，但已對現有標準體系構成了挑戰。

SOCAMM的技術路線對記憶體產業鏈提出了新要求。其基於LPDDR5X的模組化設計，正推動DRAM廠商向“模組化封裝”技術轉型。同時，其緊湊外形和高密度布線需求，也對PCB基板供應商的更高密度布線工藝提出了新要求。

SOCAMM的推廣仍面臨多重挑戰。技術層面，其商業化進程曾出現推遲，且面臨高溫下信號衰減、高堆疊晶片良率等技術難題。市場與生態層面，其作為私有標準需構建廣泛生態，面臨與現有硬體/軟體的兼容性挑戰，以及與DDR5、GDDR6、CXL記憶體池化等成熟或新興技術的競爭。此外，供應鏈的穩定性也是影響其大規模套用的關鍵因素。