LTE小區覆蓋

LTE技術中的LTE小區覆蓋情況。

基本介紹

  • 中文名:LTE小區覆蓋
  • 外文名:LTE cell coverage
  • 套用學科:通信
LTE小區覆蓋情況,吞吐率統計,LTE,LTE概念,LTE系統結構,

LTE小區覆蓋情況

表11-1給出了LTE上行鏈路不同邊緣速率時所對應的覆蓋情況。
表11-1 LTE上行鏈路覆蓋情況
單位
上行
數據速率
kbit/s
128
256
512
1024
2048
發射機
最大發射功率
dBm
23
23
23
23
43
發射天線增益
dBi
0
0
0
0
0
EIRP
dBm
23
23
23
23
23
接收機
接收機噪聲係數
dB
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
熱噪聲
dBm
−115.4
−115.4
−112.39
−111.42
−108.41
接收基底噪聲
dBm
−112.9
−112.9
−109.89
−108.92
−105.91
SINR
dB
−3
−0.3
−0.3
1.5
1.5
接收機靈敏度
dBm
−115.9
−113.2
−110.19
−107.42
−104.41
接收天線增益
dBi
18
18
18
18
18
增益餘量損耗
干擾餘量
dB
2
2
2
2
2
饋線損耗
dB
2
2
2
2
2
塔放增益
dB
2
2
2
2
2
陰影衰落
dB
11.7
11.7
11.7
11.7
11.7
穿透損耗
dB
20
20
20
20
20
人體損耗
dB
0
0
0
0
0
收發分集增益
dB
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
硬切換增益
dB
4
4
4
4
4
最大路徑損耗
最大路徑損耗
dB
128.9
126.2
123.19
120.42
117.41
頻率
MHz
2600
2600
2600
2600
2600
發射天線高度
m
30
30
30
30
30
接收天線高度
m
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
Cost-231Hata
覆蓋半徑
m
357
299
245
205
168
表11-2給出了LTE下行鏈路不同邊緣速率時的覆蓋情況。
表11-2 LTE下行鏈路覆蓋情況
單位
下行
數據速率
kbit/s
128
256
512
1024
2048
發射機
最大發射功率
dBm
43
43
43
43
43
發射天線增益
dBi
18
18
18
18
18
EIRP
dBm
61
61
61
61
61
接收機
接收機噪聲係數
dB
7
7
7
7
7
熱噪聲
dBm
−115.4
−115.4
−112.39
−111.42
−108.41
接收基底噪聲
dBm
−108.4
−108.4
−105.39
−104.42
−101.41
SINR
dB
−3
−0.3
−0.3
1.5
1.5
接收機靈敏度
dBm
−111.4
−108.7
−105.69
−102.92
−99.91
接收天線增益
dBi
0
0
0
0
0
增益餘量損耗
干擾餘量
dB
2
2
2
2
2
饋線損耗
dB
2
2
2
2
2
塔放增益
dB
0
0
0
0
0
陰影衰落
dB
11.7
11.7
11.7
11.7
11.7
穿透損耗
dB
20
20
20
20
20
人體損耗
dB
0
0
0
0
0
收發分集增益
dB
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
硬切換增益
dB
4
4
4
4
4
最大路徑損耗
最大路徑損耗
dB
142.4
139.7
136.69
133.92
130.91
頻率
MHz
2600
2600
2600
2600
2600
發射天線高度
m
30
30
30
30
30
接收天線高度
m
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
Cost-231Hata
覆蓋半徑
km
862
723
594
495
407
圖1給出了不同載入水平UE分別採用TM2與TM3MIMO模式時的下行吞吐率的對比。數據來源於外場試驗,測試環境可以看作是一般城區或郊區環境。
這裡使用對數坐標軸,可以更加清楚地看到小區邊緣時吞吐率和覆蓋距離的關係。
測試中要求TM2和TM3分別測,在無線信道條件好時空分復用可有效提升系統容量,在小區邊緣發射分集可有效提高覆蓋性能。
在所選的測試場景下,載入70%和載入100%情況下在距基站620m處可保障1Mbit/s,輕載或空載情況下可在1.1km處保障2Mbit/s。
根據UE發生掉話的位置可以計算UE與基站的距離,表11-3列出了20MHz頻寬、TM3模式下不同載入和加擾程度下的UE下行覆蓋距離。
表11-3 LTE外場覆蓋測試結果
一般城區或郊區
載入情況
距離/m
掉話RSRP/dBm
掉話時SINR/dB
加擾小區空載
2152
−128
−4
下行70%,IOT=6dB
661
−99
−12
下行100%,IOT=8dB
649
−96
−11

吞吐率統計

小區吞吐量和頻譜效率對無線接入網非常重要,尤其是當部分UE在小區邊緣進行業務時。因此,LTE小區吞吐量和頻譜效率的仿真和測試必須考慮多UE的情況,同時還必須考慮UE在整個小區均勻分布的場景。
在實際測試中,多用戶均勻分布場景下,在不同的加擾條件下,單扇區所能取得的下行吞吐率見表11-10。
表11-10 多用戶均勻分布下行BE扇區吞吐率測試記錄表
每點指“近中遠點”
空載
下行70%載入,上行
6dBROT,Mbit/s
下行100%載入,上行
8dBROT,Mbit/s
每點1UE
10M-TM2
24.8
18.43
15.65
10M-TM3
30.67
21.54
19
20M-TM2
51.5
33.05
34.1
20M-TM3
59.3
27.44
38
每點2UE
10M-TM2
25.6
15.8
16.05
10M-TM3
30.67
19
16.1
20M-TM2
50.9
32.92
31.5
20M-TM3
50.3
41.01
48
圖2所示為在外場測試所得的不同載入下單扇區速率合計對比圖。
圖2  不同載入下單扇區速率合計對比圖圖2 不同載入下單扇區速率合計對比圖
表11-11所列為多用戶均勻分布上行BE吞吐率測試的統計結果表格。
表11-11 多用戶均勻分布上行BE扇區吞吐率測試記錄表
每點指“近中遠點”
空載
下行70%載入,上行
6dBROT,Mbit/s
下行100%載入,上行
8dBROT,Mbit/s
諾西
每點一UE
10M
18.4
16.6
14.56
20M
33.1
38.03
35.2
每點兩UE
10M
16.7
17.9
17.47
20M
33
33.68
31.9

LTE

LTE概念

LTE(LongTermEvolution,長期演進),又稱E-UTRA/E-UTRAN,和3GPP2UMB合稱E3G(Evolved3G)
LTE是由3GPP(The3rdGenerationPartnershipProject,第三代合作夥伴計畫)組織制定的UMTS(UniversalMobileTelecommunicationsSystem,通用移動通信系統)技術標準的長期演進,於2004年12月在3GPP多倫多TSGRAN#26會議上正式立項並啟動。LTE系統引入了OFDM(OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing,正交頻分復用)和MIMO(Multi-Input&Multi-Output,多輸入多輸出)等關鍵傳輸技術,顯著增加了頻譜效率數據傳輸速率(20M頻寬2X2MIMO在64QAM情況下,理論下行最大傳輸速率為201Mbps,除去信令開銷後大概為140Mbps,但根據實際組網以及終端能力限制,一般認為下行峰值速率為100Mbps,上行為50Mbps),並支持多種頻寬分配:1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz等,且支持全球主流2G/3G頻段和一些新增頻段,因而頻譜分配更加靈活,系統容量覆蓋也顯著提升。LTE系統網路架構更加扁平化簡單化,減少了網路節點和系統複雜度,從而減小了系統時延,也降低了網路部署和維護成本。LTE系統支持與其他3GPP系統互操作。LTE系統有兩種制式:FDD-LTE和TDD-LTE,即頻分雙工LTE系統和時分雙工LTE系統,二者技術的主要區別在於空中接口物理層上(像幀結構、時分設計、同步等)。FDD-LTE系統空口上下行傳輸採用一對對稱的頻段接收和傳送數據,而TDD-LTE系統上下行則使用相同的頻段在不同的時隙上傳輸,相對於FDD雙工方式,TDD有著較高的頻譜利用率
LTE/EPC的網路架構如圖3所示。
圖3  3GPP接入的非漫遊架構圖3 3GPP接入的非漫遊架構

LTE系統結構

LTE採用由eNB構成的單層結構,這種結構有利於簡化網路和減小延遲,實現低時延、低複雜度和低成本的要求。與3G接入網相比,LTE減少了RNC節點。名義上LTE是對3G的演進,但事實上它對3GPP的整個體系架構作了革命性的改變,逐步趨近於典型的IP寬頻網路結構。
LTE的架構也叫E-UTRAN架構,如圖4所示。E-UTRAN主要由eNB構成。同UTRAN網路相比,eNB不僅具有NodeB的功能,還能完成RNC的大部分功能,包括物理層、MAC層、RRC、調度、接入控制、承載控制、接入移動性管理和Inter-cellRRM等。eNodeB和eNodeB之間採用X2接口方式直接互連,eNB通過S1接口連線到EPC。具體地講,eNB通過S1-MME連線到MME,通過S1-U連線到S-GW。S1接口支持MME/S-GW和eNB之間的多對多連線,即一個eNB可以和多個MME/S-GW連線,多個eNB也可以同時連線到同一個MME/S-GW。
圖4  LTE整體結構圖4 LTE整體結構

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