Intel 3是英特爾開發的FinFET半導體製造工藝節點，為Intel 4的升級版本。相比前代Intel 4，Intel 3邏輯微縮約10%，每瓦性能提升17%-18%，於2024年實現大規模量產。其首發產品是至強6能效核處理器（代號Sierra Forest），於2024年6月發布；後續套用包括至強6性能核處理器（代號Granite Rapids），計畫於2024年第三季度推出。
該工藝的技術改進包括更嫻熟運用EUV極紫外光刻、引入210納米的高密度（HD）標準單元庫等。Intel 3提供了多種金屬布線層選項以適應不同成本與性能需求，並包含基礎版本及三個變體節點（Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3-PT）。Intel 3是英特爾最後一代FinFET電晶體工藝節點，也是其“四年五個製程節點”計畫的關鍵一環及首個對外開放代工的先進制程節點。通過英特爾代工服務（IFS），Intel 3工藝也為外部客戶製造晶片。基於Intel 3工藝的RISC-V晶片Cinco Ranch TC1完成實驗啟動。
基本介紹
- 外文名：Intel 3
- 產品類型：半導體製造工藝節點
- 上市時間：2024年
技術特點,發展歷程,產品套用,市場與影響,未來展望,
技術特點
Intel 3是英特爾公司開發的FinFET半導體製造工藝節點，也是英特爾最後一代採用FinFET電晶體架構的工藝。相比前代Intel 4工藝，Intel 3實現了約10%的邏輯微縮（電晶體密度提升），並在相同功耗下實現了17-18%的性能提升（每瓦性能提升）。據第三方研究報告分析，在3nm工藝節點上，Intel 3的電晶體密度據稱可達約5.2億個/mm，高於台積電的約2.9億個/mm和三星的約1.7億個/mm，另有報告指出，Intel 3的電晶體密度達到了三星2nm工藝的1.76倍。
Intel 3相比Intel 4，在更多的生產工序中套用了EUV光刻技術，使其運用更加嫻熟。Intel 3引入了210納米（nm）的高密度（HD）標準單元庫（Intel 4僅支持240nm高性能庫），最佳化了電晶體驅動電流，並通過減少通孔電阻最佳化了互連金屬堆疊。Intel 3提供了多種金屬布線層選項以適應不同成本與性能需求，包括12+2層（低成本）、14+2層（均衡）和19+2層（高性能）。具體而言，Intel 3在M0和M1等關鍵金屬層上保持了與Intel 4相同的間距，但將M2和M4層的間距從45納米降低至42納米，以最佳化互連性能。
Intel 3工藝包含基礎版本及三個變體節點。其中，Intel 3-T引入矽通孔（TSV）技術，針對3D堆疊進行最佳化；Intel 3-E擴展了功能，原生支持1.2V高電壓等，適用於模擬模組、射頻等；Intel 3-PT在Intel 3-E基礎上進一步提升性能（至少5%），並支持更精細的9微米間距矽通孔（TSV）和混合鍵合技術，適用於AI、HPC等高密度3D堆疊晶片。此外，Intel 3工藝中引入了偶極功函式金屬（DFM）技術，該技術允許在單個晶片上實現四種不同閾值電壓的電晶體，從而最佳化不同功能模組（如高性能核心與低功耗電路）的性能與能效平衡。
發展歷程
英特爾於2021年7月公布未來製程路線圖，Intel 3是其“四年五個製程節點”計畫中的第三個節點，原計畫於2023年下半年開始生產相關產品。
2023年，英特爾多次重申Intel 3工藝按計畫推進，執行長帕特·基辛格確認其將於2023年下半年製造準備就緒，並否認了延遲傳聞，表示所有已公布的3nm項目都將在2024年發布。
Intel 3於2024年實現大規模量產，首發套用於至強6能效核處理器（代號Sierra Forest）。英特爾宣布Intel 3製程進入大量生產階段。量產初期在俄勒岡州工廠進行，後續產能將轉移至愛爾蘭工廠。
Intel 3是英特爾首個對外開放代工服務的先進制程節點，也是其最後一代FinFET電晶體工藝。該節點的量產是英特爾“四年五個製程節點”計畫的一部分，其後繼節點包括20A、18A等。
產品套用
Intel 3工藝通過英特爾代工服務（IFS）對外開放，是其首個對外開放代工的先進節點。
2026年2月，由西班牙巴塞隆納超級計算中心（BSC-CNS）牽頭的巴塞隆納Zettascale實驗室（BZL）項目成功實驗啟動了基於Intel 3工藝、採用RISC-V架構的Cinco Ranch TC1晶片，該晶片由Sargantana、Ka Lizard、Ox Lizard三個模組構成，支持DDR5和PCIe Gen5，運行速率達1.5GHz。
市場與影響
Intel 3工藝主要面向高性能數據中心市場，與Intel 4相比，Intel 3實現了約10%的邏輯微縮，並在同等功耗下性能（頻率）提升至多18%，每瓦性能（能效）提升約17%，其已套用於至強6系列處理器（如Sierra Forest、Granite Rapids），通過高能效與高吞吐量最佳化數據中心性能。英特爾代工服務（IFS）已獲得一家主要的雲、邊緣和數據中心解決方案提供商的重要訂單，將採用Intel 3工藝製造晶片，預計累計訂單將帶來超過40億美元的收入。此外，由巴塞隆納超級計算中心牽頭的Zettascale實驗室項目也已成功基於Intel 3工藝製成了採用RISC-V架構的Cinco Ranch TC1測試晶片，展示了該工藝在開放生態中的套用潛力。與主要競爭對手台積電N3工藝相比，Intel 3的電晶體密度約為每平方毫米1.5億個，而台積電N3密度更高（約1.9億至2.1億個/平方毫米）。Intel 3側重高性能晶片和最大化工作頻率，適合數據中心套用，而台積電N3工藝更側重於移動設備的能效最佳化。此外，Intel 3是英特爾最後一代採用FinFET電晶體架構的工藝節點，此後將轉向埃米時代的GAA（環繞柵極）技術。Intel 3的量產是英特爾“四年五個製程節點”計畫的關鍵里程碑，標誌著該計畫進入衝刺階段，也是英特爾對外開放代工的第一個重要節點。Intel 3並非單一工藝，而是一個工藝家族，未來將推出多個演化版本以滿足客戶多樣化需求，包括針對3D堆疊最佳化的Intel 3-T、支持高電壓模擬/射頻功能的Intel 3-E，以及性能進一步提升的Intel 3-PT。Intel 3的產能和良率是影響英特爾至強系列伺服器CPU供應的重要因素之一。
