FDD6512A是一款分離式半導體產品，FET 型為MOSFET N 通道，金屬氧化物。
基本介紹
- 中文名：FDD6512A
- FET 特點： 邏輯電平門
- 家庭： MOSFET，GaNFET - 單
- 類別： 分離式半導體產品
基本參數
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫歐 @ 10.7A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：10.7A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1082pF @ 10V
功率 - 最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝：帶卷 (TR)
