EBIT(電子束離子阱(ElectronBeamIonTrap))

EBIT 全稱為Electron Beam Ion Trap,即電子束離子阱。電子束從電子槍中被引出後，被漂移管和電子槍之間的高電壓差加速，與之同時，電子束被位於漂移管段的超導亥姆霍茲線圈產生的強磁場約束，電子束在漂移管段時半徑達到最小。在漂移管中與低電荷態離子碰撞，使離子的電子不斷被剝離，電荷態不斷升高，直至平衡。通過選擇電子束的能量和密度可以選擇離子的電荷態。電子經過漂移管後被減速，最後被電子接收部件收集。

基本介紹

• 中文名：電子束離子阱
• 外文名：EBIT
• 全拼：Electron Beam Ion Trap
• 含義：集光源和離子源於一身的小型設備

詞義

電子束離子阱(Electron Beam Ion Trap)，是一種集光源和離子源於一身的小型設備。

工作原理

低電荷態離子可以有兩種方法注入到漂移管區域：一種是通過金屬蒸汽真空電弧(MEVVA)或雷射離子源(LIS)產生離子後將離子引入到漂移管，再者是可以直接把氣體原子通過漂移管觀察窗輸入到漂移管中央，與電子初步碰撞後就形成低電荷態離子。離子一旦形成，就受到三重約束：電子束的空間分布(30—70微米)對離子的徑向約束，超導線圈磁場對離子的附加徑向約束及漂移管兩端靜電場對離子的軸向約束。

阱區的高電荷態離子和電子發生著豐富的原子過程：電離，複合(輻射複合和雙電子複合)，激發，退激，軔致輻射等。通過改變注入離子的種類以及電子束的能量和電流，可以產生各種波長的光子。理論上，EBIT可以產生從微波到硬x射線的所有光子，其覆蓋範圍非常寬廣，因而EBIT是一種很好的光源。另外，可以把EBIT中產生的高電荷態離子從收集極中引出，從而可以研究高電荷態離子與材料表面的相互作用。從這方面來講，EBIT同時又是一個很好的離子源。