電荷注入檢測器（charge injection device ），屬一種光學感測器，簡稱CID。
基本介紹
- 中文名：電荷注入檢測器
- 外文名：charge injection device
- 類型：一種光學感測器
- 縮寫：CID
一種光學感測器
charge injection device （CID） sensor
CID英文全稱：（charge injection device ），中文全稱：電荷注入檢測器（CID）。
CID檢測器發明於1973年。CID 讀出方法是將電荷在檢測單元內部移動，檢測電壓的變化。
電荷注入檢測器原理，CID陣列上的每個像素可以單獨通過行列電極的電子標定指數來定址。不像CCD（電荷耦合式器件）在讀數的時候會將像素中收集的電荷轉移，電荷不會在CID陣列的點到點轉移。在電荷信息包在獨立所選擇的像素中的電容之間移動的時候，和所存儲的信息電荷成正比的移位電流被讀取。移位電流被放大，轉換成為電壓，作為部分複合視頻信號或者數位訊號輸送給外部世界。由於信號電平被測定以後電荷完整無缺的保留在像素中，所以其讀書是非破壞性的。要對新的幀進行幾分而清除陣列，每個像素上的行和列電極就會即可切換到接地釋放，或者“注射”電荷到底層。CID是一種電荷注入器件，一種MOS結構，當柵極上加上電壓時，表面形成少數載流子（電子）的勢阱，入射光子在勢阱鄰近被吸收時，產生的電子被收集在勢阱里。
在CID中，信號電荷不用轉移，是直接注入體內形成電流來讀出的。即每當積分結束時，去掉柵極上的電壓，存貯在勢阱中的電荷少數載流子（電子）被注入到體內，從而在外電路中引起信號電流，這種讀出方式稱為非破壞性讀取（Non-Destructive Read Out），簡稱：NDRO．CID的NDRO特性使它具有最佳化指定波長處的信噪比（S/N）的功能。
同時CID可定址到任意一個或一組象素，因此可獲得如“相板”一樣的所有元素譜線信息。
