主動區（工作區）主動電晶體（ACTIVE TRANSISTOR）被製造的區域即所謂的主動區（Active Area）。在標準之MOS製造過程中Active Area是由一層氮化矽光罩即等接氮化矽蝕刻之後的局部場區氧化所形成的，而由於利用到局部場氧化之步驟，所以Active Area會受到鳥嘴（Bird’s Beak）之影響而比原先之氮化矽光罩所定義的區域來的小，以長0.6um之場區氧化而言，大概會有0.5um之Bird’s Beak存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之氮化矽光罩所定義的區域小0.5um。
