APCVD

APCVD即常壓化學氣相澱積，是指在大氣壓下進行的一種化學氣相澱積的方法，這是化學氣相澱積最初所採用的方法。這種工藝所需的系統簡單，反應速度快，但是均勻性較差，台階覆蓋能力差，所以一般用於厚的介質澱積。

基本介紹

• 中文名：常壓化學氣相澱積
• 外文名：APCVD
• 類型：大氣壓下一種化學氣相澱積方法
• 用於：厚的介質澱積

除了常壓化學氣相澱積（APCVD）之外，還有低壓化學氣相澱積（LPCVD）,電漿增強型澱積（PECVD）。目前，在晶片製造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導體、半導體，或是介電材料，都可以用化學氣相澱積來製備。