15-ICP刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2018年12月29日啟用。
15-ICP刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2018年12月29日啟用。技術指標Main Unit：750(W) x 2100(D) x 1800(H)mm；Pump Unit：700(W) x 69...
ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器，於2013年10月29日啟用。技術指標 1. 反應腔室本底真空：＜1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率：＜5 x 10-4 mbar？l/s 3. 預真空室本底真空：＜1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4...
ICP刻蝕機 ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年3月2日啟用。技術指標 TCP刻蝕機的刻蝕解析度：100nm；基片尺寸：2英寸、4英寸。主要功能 用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。
ICP寶石刻蝕機 ICP寶石刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 二氧化矽刻蝕選擇比：4:1~10:1；刻蝕尺寸：2寸*7片。主要功能 對寶石、GaN等材料進行精細加工。
ICP金屬刻蝕機 ICP金屬刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年7月7日啟用。技術指標 刻蝕速率〉200nm/min。主要功能 金屬及合金的精細結構的乾法刻蝕。
ICP刻蝕系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2015年5月25日啟用。技術指標 1.片內均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 2.批-批均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 3.極限真空度（在12小時以內）3*10-7Torr 4.ICP功率：3000W,頻率13.56MHz。主要功能 用於乾法刻蝕GaAs,GaN,InGaAs,HfOx...
高精度ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年11月22日啟用。技術指標 最大可支持6英寸；刻蝕室極限真空度：≤6E-5 Pa；RF Plasma射頻發生器功率3 KW； RF Bias射頻發生器功率300W； 最低工藝氣壓2mTorr；工藝氣體氣路4路; 片內刻蝕均勻...
氧化矽ICP刻蝕機 氧化矽ICP刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年9月21日啟用。技術指標 刻蝕均勻性：+/-5% ；與光膠選擇性：＞3:1。主要功能 微細圖形乾法刻蝕SiO2、SiN、SiON。
深矽ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年5月17日啟用。技術指標 1. 通用刻蝕：刻蝕深度（150um），刻蝕速度（8um/min）; 2. 高速刻蝕：刻蝕深度（150um），刻蝕速度（20um/min）； 3. 低速刻蝕，側壁光滑：刻蝕深度（75um），刻蝕...
高性能ICP刻蝕機 高性能ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 環境溫度： 23±3℃ 環境濕度： ≤ 60% RH 刻蝕深度均勻性差異小於5%；可進行4英寸基片刻蝕。主要功能 用於III-V材料的乾法刻蝕。
ICP乾法金屬刻蝕系統是一種用於化學、物理學領域的科學儀器，於2016年11月25日啟用。技術指標 晶圓尺寸：最大6英寸 下電極：He背冷 反應氣體：O2、Ar、Cl2、BCl3、SF6 刻蝕均勻性：≤6%。主要功能 通過電感耦合電漿輝光放電分解反應氣體，對樣品表面進行物理轟擊及化學反應生成揮發性氣體，達到刻蝕的目的。
ICP刻蝕機-F ICP刻蝕機-F是一種用於數學領域的分析儀器，於2013年9月1日啟用。技術指標 介電材料刻蝕：ICP模式；刻蝕精度：0.35微米。主要功能 自動化操作，刻蝕方式： ICP模式；刻蝕精度：0.35微米；主要刻蝕介質：Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蝕尺寸：6英寸、4英寸。均勻性小於5%。
ICP乾法刻蝕系統 ICP乾法刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。技術指標 1*10-6pa。主要功能 ICP乾法刻蝕系統。
⑤. 冷卻水：水溫：15-25℃ 流量>5L/min 水壓>0.1MPa 電阻率>1MΩ 分光器技術指標 1． 光路： Czerny-Turner 2． 焦距： 1000 mm 3． 光柵規格： 離子刻蝕全息光柵，刻線密度3600線/mm，刻線面積（80×110） mm (可選用刻線密度2400線/mm，刻線面積：80×110mm 4． 線色散率倒數：0.26nm/mm 5．...
2007年6月，中微公司首台CCP刻蝕設備產品研製成功。2010年6月，中微公司首台TSV/MEMS/Dicing刻蝕設備產品研製成功。2012年11月，中微公司首台MOCVD設備產品研製成功。2015年12月，中微半導體、國家積體電路產業投資基金和蘇州聚源東方投資基金中心已完成對瀋陽拓荊科技有限公司的投資。2016年11月，首台單眼應台ICP刻...
雷射打碼設備又稱為雷射噴碼機、雷射打碼機，是用於雷射打碼的設備。該設備分為刻劃式和點陣式兩種，通過燒灼和刻蝕，將其表層的物質氣化，並通過控制雷射束的有效位移，精確地灼刻出圖案或文字。分類 按照標識形式的不同,雷射打碼設備可以分為刻劃式和點陣式兩種。市場中出現的雷射打碼設備大多是刻劃式的,而馬肯的...
本項目首先通過研究InP基材料亞波長開口寬度且深寬比高達15:1至20:1的微納溝槽的製備工藝，掌握了基於HBr氣體的100至200 nm範圍開口深槽的低溫刻蝕技術，其工藝條件為10 sccm流量HBr, 2 mTorr壓強, 800W ICP功率, 240W Platen功率和165C溫度。此關鍵工藝技術為深亞微米和納米尺度光電子器件的進一步發展奠定...
2工藝偏差：由於光刻技術受限於光學規律，更高精確度的摻雜以及刻蝕會變得更加困難，造成誤差的可能性會變大。設計者必須在晶片製造前進行技術仿真。3更嚴格的設計規律：由於光刻和刻蝕工藝的問題，積體電路布局的設計規則必須更加嚴格。在設計布局時，設計者必須時刻考慮這些規則。定製設計的總開銷已經達到了一個臨界點...
通過電子束光刻、離子刻蝕等精細加工手段，可以在晶片上製造出高精度的光量子結構。同時，集成光學工藝能夠將多個光量子邏輯門及相關的光波導、分束器、耦合器等器件集成在同一晶片上。例如，利用矽基光子集成技術，可以在晶片上構建出複雜的光量子電路。這種集成化的方式不僅提高了量子邏輯門的集成度和穩定性，還能有效...
本課題在製備鐵電介電BZN、BST薄膜的基礎上,研究了薄膜的微圖形製備的關鍵技術,研究了光刻微圖形的關鍵參數,得到了最最佳化的可重複性的參數;研究了刻蝕的各工藝參數(包括刻蝕氣體壓強,刻蝕功率、刻蝕氣體的比率,以及ICP的功率等參數)對薄膜的刻蝕規律如刻蝕速率的影響,表面成分的影響以及結構及介電常數及介電損耗的...
稀土發光材料:有新型高效節能環保光源用稀土發光材料,高清晰度,數位化彩色電視機和計算機顯示器用稀土發光材料,和特種或極端條件下套用的稀土發光材料等;稀土催化材料:發展重點是替代貴金屬,降低催化劑的成本,提高抗中毒性能和穩定性能;稀土在其他新材料中的套用:如精密陶瓷,光學玻璃,稀土刻蝕劑,稀土無機顏料等方面也...
7.8.3 刻蝕反應室的設計 7.9 遙控電漿工藝 7.9.1 去光刻膠 7.9.2 遙控電漿刻蝕 7.9.3 遙控電漿清潔 7.9.4 遙控電漿CVD(RPCVD)7.10高密度電漿工藝 7.10.1 感應耦合型電漿（ICP）7.10.2 電子迴旋共振 7.11小結 7.12參考文獻 7.13習題 第8章 離子注入工藝 8.1 簡介...
生產技術中，金屬有機化學汽相澱積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量製作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的製作。1550nmDFB-LD開始大量用於622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸...
雷射加工作為雷射系統最常用的套用，主要技術包括雷射焊接、雷射切割、表面改性、雷射打標、雷射鑽孔、微加工及光化學沉積、立體光刻、雷射刻蝕等。雷射加工設備就是利用雷射加工技術改造傳統製造業的關鍵技術設備之一，主要產品則包括各類雷射打標機、焊接機、切割機、劃片機、雕刻機、熱處理機、三維成型機以及毛化機等。
本項目以低能離子束刻蝕技術為新的切入點，對粉煤灰顆粒實施剝離、刻蝕等修飾，通過對粉煤灰顆粒內、外表面結構的同步活化，研究粉煤灰微觀結構變化與其物理、化學吸附性能提高的相關性；最佳化離子注入參數，研究離子束改性粉煤灰的表觀微結構，以及結構變化與吸附位點的關係，探討離子束改性粉煤灰微觀結構及吸附性能的機理...
以高能量密度束流實現焊接、切割、制孔、噴塗、表面改性、刻蝕和精細加工。獨到之處 與傳統機械加工方法相比具有許多獨到之處：(1)加工範圍不受材料物理 、機械性能的限制，能加工任何硬的、軟的、脆的、耐熱或高熔點金屬以及非金屬材料。(2)易於加工複雜型面、微細表面以及柔性零件。(3)易獲得 良好的表面質量，...
56、大理石和花崗石圖文刻蝕工藝 57、大理石花崗石型材著色劑的配製方法及其套用 58、大理石花紋的製作方法及產品 59、大理石圖案充填物的生產設備 60、大理石藝術畫及製作方法 61、人造大理石的立體浮印法及其產品 62、人造大理石的製造方法 63、人造大理石花崗石裝飾板製備方法 64、人造大理石及其製備方法 65、人造大理石...
1973年能源危機之後，人類開始將太陽電池轉向民用。最早套用於計算器和手錶等。1974年，Haynos等人，利用矽的各向異性（anisotropic）的刻蝕（etching）特性，在單晶矽太陽電池表面刻蝕出具有許多金字塔結構的絨面。金字塔絨面結構能有效降低太陽光在電池表面反射損失，使得當時的太陽電池轉換效率達到17%。1976年以後，如何...
