非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關掉後,所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內的數據是否能在使用...
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展,非易失性存儲器主要分為塊定址和...
非易失性存儲(NVS,nonvolatile storage,non-volatile storage)也稱為非易失性存儲器或非易失性隨機存取存儲器(NVRAM),是靜態隨機存取存儲器的一種形式。...
Non-volatile memory,非易失存儲器,具有非易失、按位元組存取、存儲密度高、低能耗、讀寫性能接近DRAM,但讀寫速度不對稱,壽命有限。...
非易失性存儲器國際研討會(Non-Volatile Memory Technology Symposium,簡稱NVMTS ),由美國噴氣推進實驗室(Jet Propulsion Laboratory)發起,自2000年由美國華盛頓召開第...
相變記憶體的英文是“Phase-Change Memory”,簡稱“PCM”,是一種非易失性的記憶體產品。...
可變電阻式存儲器(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性存儲器,和另一種新型的磁阻式隨機存取存儲器一起屬於新世代的...
快閃記憶體存儲(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位(注意:...
相變化記憶體(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存儲器裝置。PRAM 使用...
相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備,它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和電漿等狀態下存在,這些狀態都稱...
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展...
即使存儲器系統斷電(非易失性存儲器),核心存儲器內容也會保留。 但是,當讀取核心時,它會重置為“零”值。 然後,計算機存儲器系統中的電路在立即重寫周期中恢復...
WFRAM是由美國 Ramtron公司生產的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。 其核心技術是鐵電晶體材料,這一特殊材料使得鐵電存貯產品同時擁有隨機存儲器(RAM) 和非易失性...
快閃記憶體是一種非易失性存儲器,即斷電數據也不會丟失。因 運用快閃記憶體的數碼產品 為快閃記憶體不像RAM(隨機存取存儲器)一樣以位元組為單位改寫數據,因此不能取代RAM。...
Optane,中文名稱”傲騰“,是一種超高速記憶體新技術,兼容NVMe存儲協定。Optane兼容NVMe存儲協定,蘋果已經在其MacBook部分機型中使用了NVMe(非易失性存儲器)存儲協定。...
非易失性雙列直插式記憶體模組(英語:non-volatile dual in-line memory module,縮寫NVDIMM)是一種用於計算機的隨機存取存儲器。非易失性存儲器是即使斷電也能保留其...
NVRAM( Non-Volatile Random Access Memory) 是非易失性隨機訪問存儲器,指斷電後仍能保持數據的一種RAM。...
即(1)與此前標準(LPDDR)相比,加大了節能技術的支持;(2)非易失性記憶體(快閃記憶體)和易失性記憶體(SDRAM)可共用接口;(3)擴大了支持的記憶體容量和特性範圍。...
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量套用中表現得...NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術,即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低...
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)...
SanDisk (閃迪)公司是全球最大的閃速數據存儲卡產品供應商。誕生於1988年加利福尼亞帕羅奧多,該公司由非易失性存儲技術領域的國際權威Harari Eli博士在1988年創立。...