可變電阻式存儲器（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非易失性存儲器，和另一種新型的磁阻式隨機存取存儲器一起屬於新世代的存儲器。類似的技術還有CBRAM與相變化存儲器，目前許多公司都正在發展這種技術。
基本介紹
- 中文名：可變電阻式記憶體
- 外文名：Resistive random-access memory
簡介,非易失性存儲器,
簡介
可變電阻式存儲器（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM或ReRAM），是一種新型的非易失性存儲器，和另一種新型的磁阻式隨機存取存儲器一起屬於新世代的存儲器。類似的技術還有CBRAM與相變化存儲器，目前許多公司都正在發展這種技術。
對於即將迎來的物聯網時代需要即時數據存儲需求、低能耗、數據耐久度高、每次寫入或存儲的數據單位小等層面，綜觀上面的需要，NAND快閃記憶體並不是一個合適的選項，不過由於ReRAM的操作電壓較低，消耗的電力亦較少，且ReRAM的寫入信息速度比同樣是非易失性存儲器的NAND快閃記憶體快1萬倍，因此在這個即將面臨而來的挑戰，可變電阻式存儲器絕對是一個不可或缺的存在。
最基本的可變電阻式存儲器是由上下兩層金屬電極以及中間一層過渡金屬氧化物(Transition metal oxide, TMO)所組成，主要的操作原理是利用過渡金屬氧化物的阻值，會隨著所加偏壓改變而產生不同的阻值，而如何辦別內部存儲的值，則由內部的阻值高低來做分別。通常會先對剛生產好的可變電阻式存儲器進行初始化，此過程被稱為Forming，必須對組件施加偏壓，當電場超過臨界值時介電層會發生崩潰現象，使介電層從高阻值轉為低阻值。而從Forming之後發生改變阻值的現象，若是從高阻態到低阻態的過程稱之為SET，相反地，從低阻態到高阻態的過程稱之為RESET。
非易失性存儲器
非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的計算機存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用計算機時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。
