電晶體飽和區

當三極體的集電結電流I_c增大到一定程度時，再增大I_b，I_c也不會增大，進入飽和區。飽和時，Ic最大，集電極和發射之間的內阻最小，電壓U_ce只有0.1V~0.3V，U_ce<U_be，發射結和集電結均處於正向電壓。三極體沒有放大作用，集電極和發射極相當於短路，可與截止區配合，用於開關電路。

基本介紹

• 中文名：電晶體飽和區

電晶體飽和區

在晶體三極體中,發射結正偏,集電結也正偏,集電極電流不受基極電流控制的區域,就是電晶體飽和區。

在此區域內,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V 。