電子束半導體器件是指利用電子束電流控制半導體中載流子運動來完成各種功能的器件。具有很高的電流增益，而且回響速度快，輸出能力大，並能產生受激發光效應。
基本介紹
- 中文名：電子束半導體器件
- 外文名：Electron beam semiconductor device
- 拼音：dianzisubandaotiqijian
- 可用於：高解析度、高亮度
正文,
正文
利用電子束電流控制半導體中載流子運動來完成各種功能的器件。它兼有真空電子器件和半導體器件的特點。可實現增益、頻寬、回響速度和效率之間的有益結合，並能製成不同類型的專門器件，以完成各種複雜功能。
半導體靶受高能電子轟擊後，具有很高的電流增益，而且回響速度快，輸出能力大，並能產生受激發光效應。電子束半導體器件，就是以真空電子器件的電子束（調製方式可採用速度調製、密度調製、偏轉調製等，束形和尺寸可根據要求設計）來轟擊半導體靶（靶的尺寸、數量、形狀均可根據要求配置）的原理製成的多種結合型器件。 功率器件 基本結構為一電子束電晶體（見圖），有脈衝放大器和調製器、射頻柵控C類放大器、偏轉束B類放大器三種型式。這類器件具有頻頻寬、增益高、回響速度快、效率高、線性好、體積小、可靠性高、壽命長等特點。上升時間約為亞納秒,開關速度約為1安/納秒。這類器件適用於空中交通管制、遠程警戒、數字通信、雷達發射機、雷達調製器、干擾欺騙轉發器和測試儀器等。
複雜功能器件 專門為實現套用中提出的複雜功能要求而設計的器件，如光電轉換效率高、可在微光條件下工作的矽增強靶攝像管、電子轟擊電荷耦合器件、寫速可達每秒2×1012跡寬的記錄高速瞬態信息的掃描變換管，以及電子束定址存儲器、模擬－數字高速轉換管和多種形式信號處理器件。
雷射器件 以電子束為泵浦源的半導體雷射器。當電子束能量和密度足以使半導體靶中激發態的粒子數高於基態粒子數，形成粒子數反轉分布時便產生受激輻射，而且不同禁頻寬度的材料（Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體化合物），可以產生不同波長的雷射。這種器件分為輻射鏡型和行靶型兩種，其特點是效率較高、調製方便，目前處於研究階段。可用於高解析度、高亮度、高保真度、彩色大螢幕顯示、選址用掃描雷射管、光雷達光源，以及計量學、光譜學、高速示波學等領域。
半導體靶受高能電子轟擊後，具有很高的電流增益，而且回響速度快，輸出能力大，並能產生受激發光效應。電子束半導體器件，就是以真空電子器件的電子束（調製方式可採用速度調製、密度調製、偏轉調製等，束形和尺寸可根據要求設計）來轟擊半導體靶（靶的尺寸、數量、形狀均可根據要求配置）的原理製成的多種結合型器件。 功率器件 基本結構為一電子束電晶體（見圖），有脈衝放大器和調製器、射頻柵控C類放大器、偏轉束B類放大器三種型式。這類器件具有頻頻寬、增益高、回響速度快、效率高、線性好、體積小、可靠性高、壽命長等特點。上升時間約為亞納秒,開關速度約為1安/納秒。這類器件適用於空中交通管制、遠程警戒、數字通信、雷達發射機、雷達調製器、干擾欺騙轉發器和測試儀器等。
複雜功能器件 專門為實現套用中提出的複雜功能要求而設計的器件，如光電轉換效率高、可在微光條件下工作的矽增強靶攝像管、電子轟擊電荷耦合器件、寫速可達每秒2×1012跡寬的記錄高速瞬態信息的掃描變換管，以及電子束定址存儲器、模擬－數字高速轉換管和多種形式信號處理器件。
雷射器件 以電子束為泵浦源的半導體雷射器。當電子束能量和密度足以使半導體靶中激發態的粒子數高於基態粒子數，形成粒子數反轉分布時便產生受激輻射，而且不同禁頻寬度的材料（Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體化合物），可以產生不同波長的雷射。這種器件分為輻射鏡型和行靶型兩種，其特點是效率較高、調製方便，目前處於研究階段。可用於高解析度、高亮度、高保真度、彩色大螢幕顯示、選址用掃描雷射管、光雷達光源，以及計量學、光譜學、高速示波學等領域。
